作者单位
摘要
西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
开展了光电耦合器在0.01, 0.1, 1.0和50 rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60Coγ)辐照实验, 结果表明: γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降, 辐照到相同总剂量, 电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情况下, 通过对光电耦合器中的发光二极管I-V特性、光敏晶体管增益及初级光电流的测试, 以及耦合介质传输损耗特性的分析, 证明了导致光电耦合器电流传输比退化的主导因素是光敏晶体管C-B区光响应度的下降。
光电耦合器 γ总剂量 低剂量率辐照损伤增强 optocoupler γ total dose enhanced low dose rate sensitivity 
强激光与粒子束
2014, 26(8): 084001

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