1 中国工程物理研究院 电子工程研究所，四川 绵阳 621999
2 中国工程物理研究院 激光聚变研究中心，四川 绵阳 621999
针对应用于某种全固化激光器的4种关键光学材料Nd:YAG晶体、Cr:YAG晶体、无膜窗口玻璃(UBK7)以及部分反射镀膜玻璃在γ总剂量辐照前后光学特性的变化情况，分析获得了几种光学材料的γ总剂量辐照效应，并对该全固化激光器抗γ总剂量辐射能力进行了预估。实验结果表明：Nd:YAG晶体对γ总剂量辐照敏感，抗辐射性能较差，不宜用于在较强辐射环境下工作的固态激光器设计，而Cr:YAG、无膜窗口玻璃以及部分反射镀膜玻璃γ总剂量辐照后性能参数变化小，抗辐射性能良好，可考虑在较强γ辐射环境下工作的全固化激光器设计选用。
光学材料 全固化激光器 γ总剂量辐射效应 optical materials solid state laser γtotal ionizing dose effects 太赫兹科学与电子信息学报
2016, 14(5): 811
西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
开展了光电耦合器在0.01, 0.1, 1.0和50 rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60Coγ)辐照实验, 结果表明: γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降, 辐照到相同总剂量, 电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情况下, 通过对光电耦合器中的发光二极管I-V特性、光敏晶体管增益及初级光电流的测试, 以及耦合介质传输损耗特性的分析, 证明了导致光电耦合器电流传输比退化的主导因素是光敏晶体管C-B区光响应度的下降。
光电耦合器 γ总剂量 低剂量率辐照损伤增强 optocoupler γ total dose enhanced low dose rate sensitivity 强激光与粒子束
2014, 26(8): 084001
