1 中国电子科技集团公司 第四十七研究所, 沈阳 110032
2 西安电子科技大学 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室, 西安 710071
3 中国电子科技集团公司 第十三研究所, 石家庄 050051
针对硅双极器件及其构成的双极集成电路有着如低剂量率辐照损伤增强效应等不同于其他类型电路的特殊的辐照响应问题,分析了空间辐射电离总剂量环境及铝屏蔽作用,双极晶体管及电路总剂量辐照损伤机理,低剂量率辐照损伤增强效应、规律和电参数变化。通过选取几种典型的双极晶体管和电路进行地面辐照模拟试验和测试,证明了双极器件及电路的关键参数受辐照影响较大,特别是对低剂量率辐照损伤增强效应敏感,低剂量率辐照损伤增强因子基本都大于1.5,不同双极器件和电路的低剂量率辐照损伤增强效应有着明显的不同,与器件类型、加工工艺(如氧化层厚度)等密切相关。
双极器件 总剂量辐照 低剂量率 低剂量率辐照损伤增强效应 增强因子 bipolar device total ionizing dose radiation low dose rate enhanced low dose rate sensitivity effect enhancement factor 强激光与粒子束
2016, 28(4): 044002
西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西安 710024
开展了光电耦合器在0.01, 0.1, 1.0和50 rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60Coγ)辐照实验, 结果表明: γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降, 辐照到相同总剂量, 电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大。在不拆封破坏光电耦合器的情况下, 通过对光电耦合器中的发光二极管I-V特性、光敏晶体管增益及初级光电流的测试, 以及耦合介质传输损耗特性的分析, 证明了导致光电耦合器电流传输比退化的主导因素是光敏晶体管C-B区光响应度的下降。
光电耦合器 γ总剂量 低剂量率辐照损伤增强 optocoupler γ total dose enhanced low dose rate sensitivity 强激光与粒子束
2014, 26(8): 084001
