强激光与粒子束
2020, 32(3): 033003
1 西北核技术研究所, 西安 710024
2 西安交通大学 电子与信息工程学院, 西安 710049
二次电子发射直接影响法拉第探测器测量质子束流的精度，减小或消除二次电子发射的影响是提高束流测量精度的关键。根据二次电子补偿原理设计了二次电子补偿型同轴法拉第探测器，实验发现探测器测量质子束流强度时不能完全实现二次电子补偿。为改进和完善探测器的设计，从理论上分析了补偿片未能完全消除二次电子对束流测量影响的原因，是由于补偿片前向发射二次电子数目大于收集极后向发射二次电子数目所致。为此设计了质子束穿过金属箔发射二次电子测量装置，测量得到能量为5~10 MeV质子穿过10 μm厚铜箔时前向与后向发射二次电子产额，验证了理论分析的正确性。
二次电子发射 二次电子产额 高能质子 铜箔 secondary electron emission secondary electron yields high energy proton Cu foil 强激光与粒子束
2014, 26(9): 094004
中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029
设计了一套适用于加速器细长管道真空室的低温溅射镀TiN薄膜装置.利用该装置,对86 mm×2 000 mm的不锈钢管道真空室进行溅射镀TiN膜实验,并对镀膜实验结果进行分析,得到了适用于加速器管道真空室内壁溅射镀TiN膜的表面处理参数.样品测试结果表明:在压强为80～90 Pa、基体温度为160～180 ℃的镀膜参数下,不锈钢管道内壁获得的TiN薄膜最佳,薄膜沉积速率为0.145 nm/s.镀膜后真空室的二次电子产额明显降低.
低温直流溅射 TiN膜 不锈钢真空室 二次电子产额 加速器
