针对无源互调(PIM)严重影响卫星通信系统性能和稳定性问题, 提出了一种利用内导体非接触式结构实现低 PIM的同轴接头设计方法。设计并实现了 2款分别工作在 S波段和 C波段的内导体非接触式同轴接头: S波段的内导体非接触式同轴接头在 2.1~2.7 GHz下实测|S11 |<-30 dB, 通带内插入损耗小于 0.3 dB; C波段的内导体非接触式同轴接头在 3.5~4.2 GHz下实测|S11 |<-30 dB, 通带内插入损耗小于 0.2 dB。该改进型同轴接头设计方法为卫星通信系统的微波连接器的设计提供了重要的参考价值和新的研究思路。

3D打印通过流体材料或粉体材料的层片叠加, 将 CAD设计转化为三维实体零件, 无需模具或机加工, 凭借极大的设计自由度和生产效率, 近年来逐渐用于工业产品的直接制造, 在配件减重、模型验证、复杂结构一体化成型、零部件受损修复方面具有极大的优势。本文介绍了 3D打印技术及其分类, 举例分析该技术在航天器微波部件的应用情况, 探讨其对射频器件制备的影响。最后, 对 3D打印在空间部件制造的关键问题和发展进行了展望。

无源互调(PIM)干扰是微波射频电路面临的主要可靠性问题之一, 随着微波射频电路小型集成化发展, 微带电路无源互调效应研究开始受到工业界和学术界广泛关注。研究微带电路无源互调机理、评估和抑制方法, 对于制备小型化、高可靠性微波射频电路具有重要价值。与腔体部件相比, 微带电路的非线性往往是分布的, 且与基材选择、制造工艺和器件结构等方面都有重要关系, 因此研究难度更大。近年来虽然关注微带电路互调的研究越来越多, 但依然难以直接指导微带电路的实际设计。基于此, 本文系统论述了近年来微带电路无源互调领域的研究情况, 包括非线性机理、仿真建模以及测试诊断等方面, 为未来更深入地研究微带电路无源互调效应提供参考。

在地面通信系统中, 基站的微波部件长期暴露在外, 受温度、湿度、污染等因素影响, 原本洁净的部件表面受到氧化、沾污等, 导致接触不良, 产生无源互调(PIM), 干扰通信系统, 导致地面移动通信中 PIM的干扰不可避免。卫星通信系统中, 由于通信距离远、平台限制等, 必须采用收发共用模式, 随着接收机灵敏度提升, 对 PIM指标要求更高; 因系统高可靠性要求, PIM成为系统成败的关键问题之一。本文介绍了地面移动通信和星载微波部件 PIM干扰的特点和研究进展, 以期对 PIM研究提供参考。

真空电子器件在毫米波和太赫兹波频段具有大功率的天然优势，可用于构建高效率、大功率的毫米波和太赫兹辐射源，对高功率微波技术及太赫兹技术的发展具有十分重要的意义。输出窗是真空电子器件的关键部件，输出窗击穿是器件失效的主要原因之一，而次级电子倍增效应被认为是输出窗击穿的主要原因。本文梳理了目前分米波及厘米波波段真空电子器件输出窗的研究现状，在此基础上梳理了这一领域未来研究的主要发展方向，以期为未来真空电子器件向更高功率和更高频率等级发展提供参考。

为改进微放电试验的有效性, 针对微放电试验中种子电子的加载方法进行了研究, 介绍了辐射源、紫外光源、电子枪三种加载方法, 并说明和比较了上述方法的优缺点和适用范围。接着重点介绍了两种辐射源加载种子电子的方法: β衰变和γ跃迁, 并对两种方法加载种子电子的特性进行了定量分析。所得结果表明, 基于β衰变的90Sr及同时进行β衰变和γ跃迁的137Cs均可产生能够穿透毫米量级铝质微波部件壁厚的不同数量的种子电子, 适合用于微放电试验中的种子电子加载。

针对微孔阵列对铜表面二次电子发射系数(SEY)的抑制效应进行实验研究以提高电真空器件性能。首先利用Casino软件模拟了入射能量分别为0.5 keV和3 keV的电子束垂直入射到方形微孔阵列表面的SEY, 分析了方孔阵列的深宽比和孔隙率对本征二次电子发射系数(ISEY)、背散射二次电子发射系数(BSEY)及总二次电子发射系数(TSEY)的影响。然后采用半导体光刻工艺在铜箔表面制备具有不同形貌参数的圆孔阵列, 采用激光扫描显微镜进行形貌分析和几何结构参数提取, 采用二次电子测试平台进行TSEY测试。仿真结果表明：微孔阵列的深宽比、孔隙率越大, 其SEY抑制特性越明显；随着微孔阵列深宽比逐渐增大, SEY逐渐趋于饱和；入射电子束能量较低时, 微孔阵列对SEY抑制效应比入射能量较高时更为明显。实验结果表明：微孔阵列能有效抑制铜表面SEY, 实测结果与仿真结果规律一致, 为微孔阵列结构用于铜表面SEY抑制提供了依据。