作者单位
摘要
北京真空电子技术研究所微波电真空器件国家级重点实验室, 北京 100015
高性能实用化辐射源是太赫兹应用的关键器件, 利用周期结构电磁色散中的止带区域具有耦合阻抗高的特点, 电子注和电磁波能够高效互作用, 可以实现大功率太赫兹振荡器。带边振荡器(BO)相比于传统的返波振荡器(BWO), 可以实现大功率输出, 在 W波段能达到百瓦量级, 太赫兹波段能达到瓦级; 采用周期永磁聚焦系统, 可以实现小体积轻质量; 慢波结构尺寸短, 结构简单; 成本低, 具有批量生产能力。本文提出可构建 3π止带的交错子周期折叠波导慢波结构 (FWG SWS)和双频双模双向带边振荡器工作机理, 采用皮尔斯双阳极电子枪、周期永磁聚焦系统、金刚石输能窗以及高效率收集极, 设计和研发了频率在 100 GHz以上的几种带边振荡器, 实现了 100 GHz频段 140 W的功率输出, 120 GHz频段实现了 30 W的功率输出, 在 300 GHz实现了 1W以上的功率输出。
周期结构 色散特性 太赫兹 带边振荡器 真空电子器件` periodic structure dispersion characteristics terahertz Band-edge Oscillators vacuum electron devices 
太赫兹科学与电子信息学报
2023, 21(9): .1065
作者单位
摘要
1 电子科技大学,电子科学与工程学院,微波电真空器件国家级重点实验室,四川 成都 611731
2 中国电子科技集团公司第十二研究所,微波电真空器件国家级重点实验室,北京 100015
3 北京航空航天大学,电子信息工程学院,北京 100191
带状注是指束流截面近似为矩形或椭圆形的电子注,且具有大的宽高比。相对于传统的圆形注,带状注具有很多优点,例如大电流和大互作用面积等。由于太赫兹波具有高频率、宽频带、高传输速率等优点,因此太赫兹科学与技术近年来发展迅速。作为一种新型的真空电子器件,太赫兹带状注器件在高功率、高增益、高效率及小型化方面具有良好的技术优势。但是,带状注在传输过程中易出现Diocotron不稳定性,难以保持长距离稳定的聚焦传输,从而导致带状注的技术优势难以发挥。本文综述了带状注的产生成形方式和聚焦传输方法,以及太赫兹带状注器件的研究进展,同时讨论了它所面临的挑战和未来的发展方向。
太赫兹 带状注 真空电子器件 Diocotron不稳定性 磁聚焦方法 terahertz sheet beam vacuum electron devices diocotron instability magnetic focusing methods 
红外与毫米波学报
2023, 42(1): 26
作者单位
摘要
中国空间技术研究院西安分院 空间微波技术重点实验室,陕西 西安 710000
真空电子器件在毫米波和太赫兹波频段具有大功率的天然优势,可用于构建高效率、大功率的毫米波和太赫兹辐射源,对高功率微波技术及太赫兹技术的发展具有十分重要的意义。输出窗是真空电子器件的关键部件,输出窗击穿是器件失效的主要原因之一,而次级电子倍增效应被认为是输出窗击穿的主要原因。本文梳理了目前分米波及厘米波波段真空电子器件输出窗的研究现状,在此基础上梳理了这一领域未来研究的主要发展方向,以期为未来真空电子器件向更高功率和更高频率等级发展提供参考。
真空电子器件 毫米波 太赫兹 输出窗 次级电子倍增效应 vacuum electronic devices millimeter wave terahertz output window multipactor 
太赫兹科学与电子信息学报
2022, 20(1): 58
常少杰 1,2吴振华 1,2,*黄杰 1,2赵陶 1,2[ ... ]刘盛纲 1,2
作者单位
摘要
1 电子科技大学 电子科学与工程学院 太赫兹中心,四川 成都 610054
2 太赫兹技术教育部重点实验室,四川 成都 610054
3 电子科技大学微波电真空器件技术国家级重点实验室,四川 成都 610054
太赫兹波因其具有电子学与光子学的特性,所以在深空探测、无损检测、通信及安检等领域有巨大应用潜力。近些年,太赫兹技术的迅猛发展离不开太赫兹真空电子器件的不断进步。由于尺寸共度效应及电子束发射性能的限制,这类器件在迈向更高频段过程中遇到了不小的困难。针对这些问题,研究人员通过改良高频结构、控制加工精度、制备更优性能的材料、更精准的计算手段等一系列措施进行解决。本文介绍几种主流小型化太赫兹器件研究过程中的解决方案及最新进展,最后根据现阶段发展情况总结未来可能会遇到的问题及解决方法。
真空电子器件 大功率太赫兹辐射源 研究进展 vacuum electron device high power terahertz source research progress 
红外与毫米波学报
2022, 41(1): 005
作者单位
摘要
北京真空电子技术研究所,大功率微波电真空器件技术国家级重点实验室,北京 100015
针对太赫兹频段实现高功率面临物理机制上的难题,设计了一个G波段带状注速调管,展示了基于非相对论带状电子注和扩展互作用技术所能达到的功率水平以及影响性能的物理因素。文中设计基于电压24.5 kV、电流0.6 A,1 mm×0.15 mm的椭圆电子注,以及与之相匹配的互作用系统,即横向过尺寸哑铃型多间隙谐振腔,可以实现高功率和高增益。三维PIC仿真结果显示,在考虑实际腔体损耗的情况下,能够获得超过500 W的功率,电子效率和增益分别达到3.65%和38.2 dB。研究发现,输出功率和效率的提升很大程度上受到多间隙腔模式稳定性以及电路欧姆损耗的制约;输出腔的欧姆损耗对输出功率影响尤为显著,工程设计需要特别考虑。本文的研究为高频段带状注扩展互作用器件的研发打下了良好的基础。
太赫兹 带状电子注 真空电子器件 扩展互作用 多间隙谐振腔 模式分析 三维PIC仿真 terahertz sheet beam vacuum electronic devices extended interaction multi-gap resonator mode analysis 3D PIC simulation 
强激光与粒子束
2020, 32(10): 103003
作者单位
摘要
中国科学院 电子学研究所, 北京 100190
利用红外测温仪、光学测温仪、热电偶测温仪(铂铑-铂)对微波电真空器件用浸渍阴极表面、覆膜阴极表面、阴极侧面(钼筒)进行了温度对比测试研究。结果表明: 采用红外测温仪和光学测温仪测试浸渍阴极表面的温度与采用热电偶测温仪测试的温度相差不大, 而覆膜阴极却相差约50 ℃; 采用红外测温仪和光学测温仪测试阴极侧面(钼筒)的温度相差不大, 都低于热电偶测温仪测试的温度约60 ℃, 这说明红外和光学测试温度值低于阴极的实际温度(热电偶测量值)。由于在阴极表面出现了物理、化学变化, 红外测温仪和光学测温仪测试的阴极表面温度值在1150 ℃左右加热100 min内增加约30 ℃。分析认为这些差异主要是因为覆膜阴极的表面与浸渍阴极的表面及阴极侧面(钼筒)的发射系数不同造成的, 当然测试结果也会随着这些因素的变化而有一定的变化。
微波真空电子器件 热阴极 温度 热辐射 microwave vacuum devices thermal cathode temperature heat radiation 
强激光与粒子束
2016, 28(7): 073003
作者单位
摘要
电子科技大学 物理电子学院 微波电真空器件国家级重点实验室, 四川 成都 610054
利用理论分析和仿真模拟相结合的方法对带状电子注的产生进行了系统的研究,并提出了一种带状注电子枪的设计方法.首先通过理论分析,提出了一种计算带状注电子枪结构参数的迭代算法,即根据注电压、注电流、电子注注腰处半厚度、阴极半厚度和阴极宽度,计算出带状注电子枪的阴极柱面半径、阴阳极间距、阳极柱面半径和射程等主要参数;在此基础上,通过仿真模拟,为毫米波真空电子器件设计了一种带状注电子枪.
带状电子注 带状注电子枪 真空电子器件 sheet electron beam sheet-beam electron gun vacuum electron devices 
红外与毫米波学报
2014, 33(6): 619
作者单位
摘要
国防科学技术大学光电科学与工程学院,湖南 长沙 410073
THz波技术在生物医学、材料科学、天文学和**通信等方面都具有广泛的应用前景。介绍了几种能够产生THz波的真空电子器 件的工作机理及其在发展过程中遇到的瓶颈问题,并得出了利用真空电子器件产生THz波的各种优势。介绍了国内外各种太赫兹真空电子器件研究的技术水 平及应用现状,并对用真空电子器件产生THz波的技术进行了展望。
真空电子器件 综述 THz THz vacuum electronic device review 
红外
2012, 33(9): 1
作者单位
摘要
上海交通大学HDTV研究所,上海,200030
本文介绍了扁平CRT扇形失真内磁校正的两个方案,通过在高真空动态系统内的实验来研究方案的可行性和有效性,并对比了两个方案的优劣,提出了改进和优化的方向.
真空电子器件 扁平显像管 扇形失真 校正 磁场 vacuum electronic tube FCRT sector-distortion correcting magnetic field 
光电子技术
2001, 21(1): 56

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