针对外场激励下双层带缝屏蔽腔内置传输线的终端响应计算问题,提出了一种混合方法.先利用传输线模型计算外腔体内的响应电压,将响应电压转换成内腔体孔缝处的等效磁流.然后利用电磁拓扑方法的BLT方程计算内腔体内置传输线终端的响应电压.计算结果表明:双层屏蔽腔内置传输线的终端响应明显低于单层屏蔽腔的,但在腔体和孔缝的谐振频率处,传输线响应仍然出现了峰值.

将时域传输线模型与漂移扩散模型相结合，提出一种耦合数值计算方法，研究计算了带二极管负载的电缆在X射线辐照下的瞬态响应。该耦合数值计算方法首先利用时域传输线模型计算电缆在X射线辐照下的各节点电参数，然后将得到的终端节点的电压代入漂移扩散模型中求解二极管的内部参数与偏置电流，最后将得到的偏置电流代入到下一时间步的传输线模型中继续进行计算。该方法能够直接反映出电缆在X射线辐照下的瞬态响应与所连接的负载状态改变之间的耦合关系，利用该方法求解X射线辐照简单电子系统的典型算例，计算结果表明，X射线辐照下，同轴电缆上各处的响应电流会随着PIN二极管状态的改变而发生明显变化，与理论分析相符合，耦合模型适用于此类问题。

用多模传输线模型对高功率微波与双层屏蔽腔体的孔缝耦合特性进行了研究,此方法可以考虑高功率微波孔缝耦合进入腔内时的较宽的频率范围。用这种模拟方法获得了双层屏蔽腔体微波耦合的一些规律性结果:双层屏蔽可以使得腔体内的耦合电场比单层屏蔽时有显著的减弱,这与FDTD方法的结论是一致的;双层屏蔽外腔体中的一些谐振会影响到内腔体的耦合系数,外腔体中的场模式经由内孔缝会影响内腔体中的场模式;不论是单层屏蔽还是双层屏蔽,保持每层孔缝总面积不变时,随着孔阵中孔缝数量的增加,进入腔体内的耦合电场也逐步地减弱,这与单层屏蔽时的结论一致;通风总面积不变的情况下,孔缝数量越多,屏蔽效能越好。

将时域有限差分(FDTD)法和外场激励下屏蔽电缆的传输线模型相结合,研究计算了外场激励下带缝金属腔内屏蔽电缆的终端负载响应。首先利用FDTD计算了腔内屏蔽电缆处的激励场,然后由得到的激励场和外场激励下屏蔽电缆的传输线模型计算得到屏蔽电缆的终端响应。研究表明,屏蔽电缆对外场干扰具有良好的屏蔽性能。该方法需要的内存和计算量较小,并且使用简单方便。

埋地电缆和其它金属长导体对核电磁脉冲的耦合分析对于确定合理的工程防护措施具有重要意义.采用Agrawal模型和时域有限差分算法对线缆耦合问题进行了分析,针对该模型中需要计算土壤阻抗与电流项卷积、土壤导纳与电压项卷积的问题,提出了一种土壤阻抗特性的线性拟合处理方法,可避免复杂的卷积计算.介绍了该方法的基本原理和试用结果.这一模型拟合法适用于确定无时域解析表达式的传输线模型参数,与传输线模型的时域有限差分方法相结合,可用于分析非均匀场作用下传输线的耦合.

基于统一的二阶RC传输线模型结构,推导出一维和二维PSD光生电势的解析解,并进行了仿真分析.仿真结果表明,一维PSD的光生等势线在没有电极的两边界垂直分布,并能够真实探测到光入射位置;而二维PSD的光生电势分布以光源照射位置为中心向四个电极递减,垂直方向互相影响,在给定参数下光的入射位置与真实值相比有60% 的误差.PSD统一结构模型的分析方法和仿真结果对计算激励脉冲响应、短脉冲激励的位置精度分析、光生电势分析提供了一个理论指导.

研究了有界波电磁脉冲模拟器下短线缆效应的理论建模和实验方法.基于传输线模型计算了线缆在有界波电磁脉冲模拟器辐照下的电流响应.建立了有界波电磁脉冲模拟试验环境,其前沿时间小于5 ns,脉冲半高宽约200 ns.开展了短线缆的效应实验验证研究,短线缆负载端响应电流的测量和计算结果吻合得很好,表明应用改型有界波电磁脉冲模拟器开展短线缆效应实验在理论和实验上都是可行的.这种线缆实验方法具有效应实验空间电磁场分布规范均匀、参数指标可控、监测技术成熟等优点.

在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24 nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火.实验结果表明,在非故意掺杂的样品上,随退火温度的升高,肖特基势垒高度下降,理想因子升高,表面状况逐渐变差,600℃退火形成较低接触电阻的欧姆接触,比接触电阻率为3.03×10-4Ω cm2,而载流子浓度为5.88×1018cm-3的掺Si的样品未退火就形成欧姆接触,比接触电阻可达到4.03×10-4Ω cm2.