对于场线耦合问题，经典传输线理论不适用于求解高频电磁干扰辐照下传输线负载上的电压和电流响应。针对这一问题，首先介绍了一种基于天线理论和模拟行为建模（ABM）的时域全波建模方法。该方法利用Harrington矩量法将电流积分方程离散并推导得到宏模型时域表达式，然后利用ABM频域功能实现频变参数的傅里叶逆变换和时域卷积计算。利用电路求解器，该建模方法可直接求解任意结构传输线耦合的负载处瞬态响应；与传统全波算法相比，模型一旦建立便可应用于任意入射场和线性/非线性负载的情况，无需重复耗时地求解电流积分方程。该方法可简化全波算法求解过程，提高仿真计算效率，尤其便于在入射场和负载存在不确定参数时进行高效重复抽样计算以获得统计特性。然后以高频电磁干扰耦合有损大地上的双导体传输线为例，通过与数值电磁代码和传统传输线理论方法的求解结果对比，验证了所提宏模型的有效性以及传输线理论在解决场线耦合问题时的局限性。结果表明，基于全波方法构建的宏模型可在时域内高效准确地求解高频电磁干扰辐照下任意形状传输线负载上的瞬态响应。

百kV/cm高场强纳秒脉冲条件下，采用J. C. Martin经验公式估算SF₆气体击穿场强时，估算值与实验结果差异显著。为了进一步指导高场强脉冲气体开关设计，为开关工作状态调节提供依据，借鉴经典击穿场强经验公式形式建立了百kV/cm场强下SF₆气体开关纳秒脉冲击穿场强和时延与实验参数之间的关系，基于实验数据拟合形成了修正系数的击穿场强和时延经验公式。研究表明，百kV/cm场强和纳秒脉冲条件下脉冲电压斜率对开关击穿特性有重要影响，击穿场强与击穿时延相互关联。百ns至μs脉冲与几十ns脉冲气体放电机理的区别引起放电过程中击穿时延组成发生变化，导致了经典击穿场强经验公式估算值与实验结果的显著差异。修正系数的击穿经验公式可为电磁脉冲模拟器输出开关提供更为精确的工程设计依据。

高空电磁脉冲（HEMP）可能造成广域基础设施的故障或损毁，考虑到经济原因，需要科学合理地评估其中关键电气电子设备在HEMP辐照下的易损性。将不确定性量化与设备效应评估相结合，总结出基于裕量与不确定性量化（QMU）的电气电子设备易损性评估方法及其工作流程，包括：筛选设备关键参数，通常为耦合通道电流、电压的范数；通过HEMP环境及其与设备耦合的数值仿真及不确定性量化，得到HEMP下设备关键参数的概率分布，作为设备的威胁水平；对工作状态下设备进行HEMP效应试验，通过统计推断得到设备效应阈值概率分布，作为设备在威胁下的强度；计算威胁水平与设备强度间的距离，量化设备关键参数的裕量及其不确定性，评估HEMP下的设备易损性。基于QMU的电气电子设备易损性评估方法还可为后续防护设计提供基础数据和评估方法。

介绍了一种基于新型高功率超高速半导体断路开关——漂移阶跃恢复二极管（DSRD）和可饱和脉冲变压器的高电压高重频超高速全固态脉冲源。设计了脉冲源的电路拓扑结构，理论上分析了脉冲源电路的工作原理，研究获得了可饱和脉冲变压器匝数、磁芯截面积及负载阻抗等参数对脉冲源输出特性的影响的规律。实验结果表明：脉冲源在50 kΩ阻性负载条件下，输出脉冲峰值电压约38.2 kV，脉冲前沿约7.1 ns，脉冲宽度约14.1 ns，输出峰值功率约29.2 kW，可在400 kHz重复频率下稳定工作。

消毒灭菌技术广泛应用于食品工业、医疗领域、水处理等方面。相对于传统化学和热效应的消毒灭菌方法，γ射线、X射线、电子束、微波、低温等离子体、紫外线、高压脉冲电场等物理手段具有不污染环境、消毒灭菌温度低、没有化学残留物等优点而日益受到重视。但这些物理技术手段各有不同，本文首先介绍了γ射线、X射线、电子束、微波、低温等离子体、紫外线、高压脉冲电场等消毒灭菌的技术原理，然后对比了各自优缺点和应用领域。每种方法都有优势和不足，应针对不同的消毒灭菌对象而选择不同的方式。最后，展望了消毒灭菌的发展方向，提出了消毒灭菌在家庭日常消毒、医疗垃圾处理、有人状态下的室内空气消毒等方面的迫切需求。