1 中国电子科技集团公司第二十四研究所, 重庆 400060
2 重庆中科渝芯电子有限公司, 重庆 401332
3 模拟集成电路国家级重点实验室, 重庆 400060
提出了一种适用于环形栅LDMOS器件的子电路宏模型。基于对环形栅LDMOS器件结构的分析, 将环形栅LDMOS器件分为两个部分, 一个是中间的条形栅MOS部分, 使用常规的高压MOS模型; 另一个是端头部分, 为一个圆环形栅极MOS器件, 采用了一个单独的模型。基于40 V BCD工艺的N沟道LDMOS器件进行模型提取与验证。结果表明, 建立的宏模型具有较强的几何尺寸缩放功能, 对于不同尺寸的器件都具有较高的拟合精度, 并且模型能够兼容当前主要的商用电路仿真器Hspice和Spectre。
环形栅 宏模型 BCD工艺 annular gate LDMOS LDMOS macro model BCD process
强激光与粒子束
2023, 35(2): 023005
针对瞬态电磁场辐照多导体电缆问题，首先介绍了一种用于计算架空及埋地线缆瞬态响应的高效时域宏模型。该模型基于传输线理论，利用广义特征线法和SPICE求解器中集成的模拟行为建模库，在时域内实现建模过程中涉及的频率相关参数和卷积计算。该方法适用性广泛，可同时用于架空及埋地线缆的场线耦合建模仿真；与现有时域有限差分法相比，不需要对时间和空间进行离散，以及对频率相关参数进行矢量匹配或数值逆傅里叶变换，因此可简化建模步骤，提高建模及仿真计算的效率；该宏模型计算效率不受线缆长度限制，适用于研究多导体长距离线缆。其次，在时域和频域分别研究了高空电磁脉冲(HEMP)的环境及特点。最后，利用算例验证了所提宏模型计算架空及埋地线缆响应的有效性，并利用该方法分别研究了架空地线对三相输电线路瞬态响应的影响以及埋地电力电缆金属护套在端接线性及非线性保护器件时对HEMP的瞬态响应。结果表明，宏模型法可在时域内高效地计算入射场耦合架空输电线及埋地电力电缆的瞬态响应，特别是对于带有非线性器件的长多导体线缆。
时域宏模型 模拟行为建模 架空及埋地线缆 高空电磁脉冲 瞬态响应 time-domain macromodel analog behavioral modeling overhead and buried lines high altitude electromagnetic pulse transient responses 强激光与粒子束
2019, 31(7): 070003
1 大连交通大学 机械工程学院, 辽宁 大连116023
2 上海宇航系统工程研究所, 上海201109
凝视成像激光雷达技术是空间非合作目标位姿测量重要手段。激光雷达指标选取极大影响航天器载荷, 优化选取激光雷达指标, 使之既能满足空间任务需求, 又能有效减少航天器载荷, 减少能源消耗, 意义重大。传统解决此问题的方法是通过经验选取, 激光雷达指标与目标属性相容性宏模型的提出, 可以为激光雷达激光输出功率、分辨率、视场角和测距精度四项指标选取提供理论依据。具体的, 利用目标尺度和雷达目标距离计算雷达分辨率和视场角初值, 对雷达最大可测距离进行迭代求解, 为优化激光雷达发射功率提供依据。充分利用深度共生矩阵二阶参数迭代优化, 确定雷达最优分辨率和视场角。最后, 通过点云配准算法迭代得出测量该目标的合适的测距精度。实验结果表明, 激光雷达宏模型优化选取的雷达指标满足雷达指标选择的需求。
激光雷达指标 优化选取 目标属性 宏模型 迭代 indexes of lidar optimal selection attribute of target macro model iteration 红外与激光工程
2018, 47(2): 0230003
频率响应是光电耦合隔离放大器的一个重要参数。首先介绍了光敏三极管光电导工作模式和集成运放宏模型，然后利用该原理对使用双路光耦设计的线性光耦隔离放大器电路进行了深入研究，分析并推导了电路频响的计算公式。对该电路的频响与电路中元件参数的关系进行了仿真和实验，最终得出结论。
双路光耦 光电导 集成运放宏模型 频率响应 twinchannel optocoupler photoconductivity mode integrate amplifier macromodel frequency response
北京京东方科技集团技术研发中心， 北京 100176
文章介绍了一种有机发光二极管的电路仿真宏模型及其元件参数数值的提取方法。该电路仿真宏模型不但表征了有机发光二极管的全固态多层结构，而且表征有机发光二极管发光的物理过程。同时还提出了采用交流阻抗法提取该有机发光二极管电路仿真宏模型的元件参数的方法。该有机发光二极管的电路仿真宏模型可用于有源二极管显示器的背板电路设计过程中，背板电路与有机发光二极管器件的联合电路功能仿真，从而实现更准确的背板电路性能评估。
有机发光二极管 电路仿真宏模型 交流阻抗法 OLED macro model for circuit simulation AC impedance method
1 浙江大学,机械与能源学院,浙江,杭州,310027
2 福州大学,机械工程及自动化学院,福建,福州,350002
器件宏模型技术是微机电(MEMS)系统设计和系统级仿真的关键技术.为了建立静电致动硅膜板的宏模型,在运用有限元进行模态分析的基础上,利用多变量非线性函数拟合方法,将由数值计算得到的静电器件系统的动能、弹性能和电容写成模态广义坐标表示的解析式,导出以模态坐标表达的器件系统动力学方程,即宏模型.利用该宏模型研究了器件的静态、动态特性,并与有限元计算结果进行比较.结果表明:用模态坐标表达的动态宏模型能够考虑残余应力、大变形、静电力等非线性因素的影响,大大地减少了计算费用,而且具有足够的仿真精度.
宏模型 模态分析 静电驱动 微机电系统(MEMS)
简要分析了微电子机械系统建模仿真的原因,指出了微电子机械建模仿真需要克服的四个方面技术难题,即尺度效应、开发快速的表面力计算方法、多物理场耦合分析、宏模型的建立,为微电子机械系统的建模仿真指明了研究方向.详细分析了微电子机械系统建模仿真的技术关键,多物理场耦合计算的理论方法和器件及系统宏观模型的建立,介绍了用于MEMS系统级模拟仿真的宏模型建立的几种方法,最后结合硬件描述语言VHDL-AMS提出了建立微电子机械系统模型实现系统级模拟的方法.
微电子机械系统 物理场耦合 建模与仿真 宏模型
