为了开展太赫兹器件试验研究, 设计了高重复频率脉冲电源系统。电源输出脉冲电压30 kV, 脉冲电流200 mA, 最大重复频率3 kHz, 脉冲宽度10~100 μs, 采用本地PLC加远程计算机控制模式来实现电源的本控及遥控。对系统的核心部件: 充电电源和脉冲开关的拓扑结构进行了研究, 并开展了仿真和试验。结果表明: 采用LC串联谐振恒流充电技术以提高充电电源工作效率以及在负载打火情况下的可靠性; 基于MOSFET并进行优化设计的串联脉冲开关可以获得快速的脉冲前后沿。电源系统的输出指标满足负载工作要求, 在高重复频率、打火条件下能够稳定工作。

采用快开通功率MOSFET，通过优化驱动电路、磁芯参数以及耦合结构，设计了基于半导体开关和直线变压器驱动源(LTD)技术的高重频快沿高压脉冲源。该脉冲源由四级LTD串联而成，可实现单次脉冲和最高频率2 MHz脉冲串输出。脉冲最高幅值约2.3 kV，上升沿约7 ns，脉宽约90 ns，下降沿约20 ns，输出电压效率约95%。该脉冲源结构紧凑，输出脉冲稳定，实现了模块化设计，可作为重频电磁脉冲模拟源使用。

对高重频激光测距中多脉冲异常测距现象进行了分析和研究，采用地靶测量脉冲时间间隔、主波时刻校正和屏幕处理等技术方法，得出多脉冲测量数据的处理方法。将该方法应用于实测数据的处理，结果表明：按多脉冲测量数据进行处理后，有效数据量至少增加10%，均方根值基本一致，有利于测量回波信号较少但存在多脉冲现象时的中高轨卫星测量数据处理。

分别用连续激光、 40 kHz和 5 kHz重频激光对可见光 CCD进行损伤实验, 发现了相似的损伤现象, 即点损伤、线状损伤和完全损伤, 并分别测量了各个损伤状态下的驱动电极与衬底间的阻抗变化; 分别对三组实验中损伤的 CCD芯片进行电镜扫描, 微观分析各个损伤位置处的损伤形貌, 详细解释了出现三种损伤现象的原因, 并比较了三种工作状态激光的不同作用机理。得到的结论是: 点损伤现象与 CCD表层的损伤有关, 线损伤现象与漏光和电极间短路有关、完全损伤现象与绝缘层的损伤有关; 连续激光作用的过程以热熔融为主、 40 kHz重频激光作用的过程以汽化烧蚀为主、 5 kHz重频激光作用的过程包括汽化烧蚀、强汽化“冲刷”以及反冲压力。