1 西安交通大学应用物理系，西安 710049
2 西安理工大学应用物理系，西安 710048
在传统工艺的基础上，改变电极的形状可以提高氮化镓(GaN)基材料光导型紫外探测器的灵敏度．经过计算可知，虽然三棱形电极可以使探测器有效受光率提高100%，但工艺复杂，难以实现；而半圆柱形电极虽然使氮化镓薄膜有效受光率仅提高20%左右，但工艺简单，便于加工．
紫外探测器 电极 加工工艺 Ultravidet detectors Electrode Making technology
中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24 nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火.实验结果表明,在非故意掺杂的样品上,随退火温度的升高,肖特基势垒高度下降,理想因子升高,表面状况逐渐变差,600℃退火形成较低接触电阻的欧姆接触,比接触电阻率为3.03×10-4Ω cm2,而载流子浓度为5.88×1018cm-3的掺Si的样品未退火就形成欧姆接触,比接触电阻可达到4.03×10-4Ω cm2.
传输线模型 肖特基势垒高度 比接触电阻 隧穿电流 Transmission line model Schottky barrier height Specific contact resistance Tunneling current
1 电子科技大学信息材料工程学院,四川,成都,610054
2 重庆光电技术研究所,四川,重庆,400061
