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材料和元件
激光处理GaN薄膜的研究
陶华锋 杨忠孝 宁永功 屠晶景 徐洪艳 
作者单位
摘要
电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054
通过激光损伤实验,报道了GaN薄膜10.6μm CO2激光的损伤阈值是64J/cm2;为了改善GaN薄膜质量,对其进行了10.6μm CO2激光辐照处理,结果表明,处理后GaN薄膜的缺陷密度明显降低.并对机理进行了分析.
GaN薄膜 损伤阈值 激光处理 缺陷密度 
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激光技术
2005, 29(6): 652
半导体材料
X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究
刘爽 1,*宁永功 1陈艾 1龙再川 2杨家德 2
作者单位
摘要
1 电子科技大学信息材料工程学院,四川,成都,610054
2 重庆光电技术研究所,四川,重庆,400061
促使物相尽可能地向Pt2Si和PtSi转化，是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察，研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体(NX射线衍射 X射线光电子能谱 PtSi薄膜 X-ray diffraction X-ray photo spectrum PtSi thin film 
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红外与激光工程
2001, 30(1): 66
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