1 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054
2 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
3 四川大学,原子与分子物理所,四川,成都,610065
采用激光粒度仪、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶红外分析测试仪(FTIR)以及紫外可见分光光度计(UV-Vis)等测试手段,研究了在酸性条件下制备SiO2溶胶过程中硅烷偶联剂(KH-570)对二氧化硅(SiO2)溶胶性能的影响.结果表明:加入硅烷偶联剂改性的SiO2溶胶体系分散均匀无团簇,并且由此制得的SiO2薄膜透光率高于没有经过改性的薄膜.
SiO2溶胶 偶联剂 颗粒尺寸 分散性 光透性
1 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900
2 电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054
3 四川大学,原子与分子物理所,成都,610065
针对目前PMMA/SiO2杂化材料制备过程中容易出现的相分离问题,采用原位聚合和同步溶胶凝胶过程制备了聚合物链段与无机组分间有化学键作用的PMMA/SiO2杂化材料,并应用透射电子显微镜、红外光谱分析仪、X射线衍射分析仪、热失重分析仪等对不同SiO2含量的PMMA/SiO2杂化材料的形貌及结构进行了研究.结果表明:SiO2含量在20%～60%间的PMMA/SiO2杂化体系没有明显的相分离现象,SiO2含量在20%～40%间的杂化体系的透光性较好.
溶胶凝胶 杂化材料 聚甲基丙烯酸甲酯 二氧化硅
电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都,610054
通过激光损伤实验,报道了GaN薄膜10.6μm CO2激光的损伤阈值是64J/cm2;为了改善GaN薄膜质量,对其进行了10.6μm CO2激光辐照处理,结果表明,处理后GaN薄膜的缺陷密度明显降低.并对机理进行了分析.
GaN薄膜 损伤阈值 激光处理 缺陷密度
