利用溶剂热法可控制备了具有不同质量比的还原氧化石墨烯/CuInS2 量子点 (rGO/CuInS2-QDs) 杂化材料。将 rGO/CuInS2-QDs 杂化材料与聚 (2-甲氧基-5-(2- 乙基己氧基)-1, 4-苯撑乙烯基) (MEH-PPV) 共混作为光活性层, 制备了石墨烯基杂化聚合物太阳能电池, 研 究了 rGO/CuInS2-QDs 杂化受体材料中 rGO 与 CuInS2-QDs 的质量比 (x) 以及聚合物给体材料 MEH-PPV 与 rGO/CuInS2-QDs 杂化受体材料的质量比 (w) 对器件性能的影响。结果表明, 光活性层复合膜中 rGO/CuInS2?(x=0.25) 杂化受体材料含量由 10% (w=9) 增加 到 17% (w=5) 时, 器件的电子收集效率 (ηc) 由 0.61 提高到 0.78, 使得器件的光电转换效率得到提高。

稀土有机配合物具有优异的发光性能，但其内在缺陷如较低的稳定性和较差的加工性等则限制了它们的实际应用。离子液体稳定性和溶解性能均较好，将稀土配合物和离子液体结合可以有效地弥补上述不足，同时可以赋予材料更多奇特和优异的性能，从而增强它们的实用性。本文主要介绍了一些典型的含离子液体和稀土配合物的发光材料体系，阐明了离子液体在这些体系中的地位及作用，并对这类材料未来的应用及发展前景作了展望。

通过Suzuki偶合反应合成了聚［9，9-二辛基芴-9，9-双（丙酸基）芴］（PF8COOH），并采用溶胶-凝胶法制备了羧酸型聚芴/二氧化钛（TiO2）杂化材料。通过核磁共振氢谱（1H NMR）、凝胶渗透色谱（GPC）、紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）、X射线衍射（XRD）和荧光发射光谱对聚合物及其杂化材料进行了表征，并研究了杂化材料的荧光猝灭行为。结果表明，所合成的PF8COOH数均分子量为19 600，PF8COOH的紫外-可见吸收和荧光发射光谱较聚（9，9-二辛基芴）（PF8）均发生红移。通过溶胶-凝胶法制得了PF8COOH/TiO2杂化材料，其中TiO2主要为金红石型。杂化材料出现明显的荧光猝灭现象，TiO2含量越大则杂化材料的荧光猝灭现象越明显。羧基的引入可使聚芴与TiO2之间的相互作用增强，电子更容易从聚芴向TiO2转移，因而PF8COOH/TiO2杂化材料的荧光猝灭现象比PF8/TiO2杂化材料更明显。

相对于普通的有机/无机杂化材料，侧链键合型有机/无机杂化材料能提高生色团的掺杂浓度，避免出现结晶、相分离等现象，同时生色团极化有序性的弛豫因生色团运动受阻而降低，具有较高的热稳定性.本文采用溶胶凝胶法合成了一种性能优良、稳定的侧链键合型有机/无机杂化材料，并将这种材料应用于电光调制器的电光层，利用传统的半导体工艺，采用加载条形波导结构，成功制备了马赫-曾德尔(Mach-Zehnder，M-Z)型电光调制器.测试得到电光调制器在1 550 nm波长下10 kHz的响应信号，为键合型杂化材料应用于光电器件的进一步研究打下了基础.

利用溶胶-凝胶法制备了硅烷偶联剂KH560修饰的有机/无机杂化电光材料，分析了KH560的水解缩合的反应机理.对制备好的电光薄膜进行了表面形貌、折射率和电光特性的表征，并用反射法测量得出了该材料的电光系数为3.5pm/V.针对这种材料柔韧的特性，设计了上加载条形电光波导，并利用Opti-BPM软件模拟了二维和三维光场.摸索了其制备的加工工艺，制备了该结构的光波导，最后得到了这种波导的近场输出.

通过对5-磺基水杨酸进行化学修饰并引入偶联基团，同Tb3+配位后与正硅酸乙酯水解缩聚来制备以强化学键结合的光功能杂化材料。利用紫外光谱、核磁共振等来表征中间体和材料的结构。荧光数据表明：材料表现出Tb3+的特征光谱，并具有良好的发光性能。

针对目前PMMA/SiO2杂化材料制备过程中容易出现的相分离问题,采用原位聚合和同步溶胶凝胶过程制备了聚合物链段与无机组分间有化学键作用的PMMA/SiO2杂化材料,并应用透射电子显微镜、红外光谱分析仪、X射线衍射分析仪、热失重分析仪等对不同SiO2含量的PMMA/SiO2杂化材料的形貌及结构进行了研究.结果表明:SiO2含量在20%～60%间的PMMA/SiO2杂化体系没有明显的相分离现象,SiO2含量在20%～40%间的杂化体系的透光性较好.