1 华中科技大学光电子工程系,武汉,430074
2 华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉,430074
3 武汉邮电科学研究院国家光电子工艺中心武汉分部,武汉,430074
基于半导体量子阱激光器的基本理论,设计了合理的1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器结构,通过低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的AlGaInAs/InP应变补偿量子阱结构材料,用此材料制作的器件指标为激射波长:1280nm≤λ≤1320nm,阈值电流:Ith(25℃)≤15mA,Ith(85℃)≤30mA,量子效率变化:Δηex(25℃～85℃)≤1.0dB,线性功率:P0≥10mW
应变补偿 量子阱 低压金属有机化学气相外延 AlGaInAs
1 华中科技大学激光技术国家重点实验室,湖北武汉,430074
2 武汉邮电科学研究院国家光电子工艺中心武汉分部,湖北武汉,430074
通过低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降低了材料中的氧杂质含量,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料,室温光致发光半宽FWHM=26 meV.采用此外延材料成功制作了1.3 μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器, 器件测试结果为:激射波长:1290 nm≤λ≤1330 nm;阈值电流:Ith(25℃)≤15 mA;Ith(85℃)≤25 mA;量子效率变化:Δηex(25～85℃)≤1.0 dB.
应变补偿量子阱 低压金属有机化学气相外延 无致冷
