本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片，结合版图的优化，改善了电流扩展效应，系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内，半峰宽接近20nm，LED功率型芯片使用优化的版图设计，在0.01mA下有良好的点亮效果，没有暗区，器件在350mA下发光效率达104 lm/W，并能够满足3W的应用市场，此外，器件具有良好的可靠性和稳定性，350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4%和2.8%，并成功解决了产业化的关键技术。

文章提出了一种不用光隔离器即可提高器件抗反射性能的抗反射同轴激光器TO-CAN(晶体管外形封装), 该TO-CAN集成了半导体激光器的电/光信号转换功能和抗反射功能，采用现有的贴片工艺和粘胶工艺，通过在底座TO-Header(晶体管外形头)上面安装激光器芯片、偏振片和λ/4波片而制成，理论分析和实验结果都验证了该方案的有效性和实用性。

取样光栅DBR(SGDBR)激光器是目前光通讯中最有应用前景的可调谐激光器之一.利用传输矩阵法模拟了取样光栅DBR半导体激光器的光谱特性.计算中,把取样光栅DBR半导体激光器的增益区、位相区和取样光栅DBR看成基本单元.而每一个基本单元都可以看作一个普通的双端口器件.其传输特性用一个2×2复矩阵表示.在阈值以下,对于有源区和取样光栅DBR的不同注入电流,发射光谱显示不同的输出特征.当有源区的注入电流为9.5 mA时,主模开始在1.553μm附近形成.当取样光栅DBR有注入电流时,主模形成的位置发生了变化,表现出可调谐的性质.同时,明显出现主模的有源区的注入电流发生变化.这种方法也反映了激光器的阈值条件.阈值电流为10 mA.

本文利用传输矩阵法分析了取样光栅DBR半导体激光器的调谐特性

基于半导体量子阱激光器的基本理论,设计了合理的1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器结构,通过低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的AlGaInAs/InP应变补偿量子阱结构材料,用此材料制作的器件指标为激射波长:1280nm≤λ≤1320nm,阈值电流:Ith(25℃)≤15mA,Ith(85℃)≤30mA,量子效率变化:Δηex(25℃～85℃)≤1.0dB,线性功率:P0≥10mW

通过低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)工艺生长了AlGaInAs应变补偿量子阱材料,通过X射线双晶衍射、光荧光、二次离子质谱的测试分析得到了材料生长的优化工艺参数,降低了材料中的氧杂质含量,得到了高质量AlGaInAs应变补偿量子阱材料,室温光致发光半宽FWHM=26 meV.采用此外延材料成功制作了1.3 μm无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器, 器件测试结果为:激射波长:1290 nm≤λ≤1330 nm;阈值电流:Ith(25℃)≤15 mA;Ith(85℃)≤25 mA;量子效率变化:Δηex(25～85℃)≤1.0 dB.

报道了基于混合应变量子阱材料的半导体光放大器(SOA)。利用张应变量子阱加强了TM模的增益，使之接近TE模的增益，从而使SOA的偏振灵敏度大为降低。在150 mA的偏置下，获得了24 dB的小信号增益和1 dB的偏振灵敏度。