1 北京理工大学光电学院北京市精密光电测试仪器与技术重点实验室, 北京 100081
2 首都师范大学物理系太赫兹光电子学教育部重点实验室,太赫兹波谱与成像北京市重点实验室, 北京成像技术高精尖创新中心, 北京 100048
将线状电极置于飞秒激光聚焦点处,使激光电离空气产生的等离子体处于线状电极产生的偏置直流电场中,观察等离子体辐射太赫兹波的特性。通过扫描电极并观察太赫兹波强度,得到了增强太赫兹波幅值的最佳位置,并且发现随着激光功率的增大,最佳位置沿光传播方向移动。该研究不仅探讨了线状电极调制下等离子体产生太赫兹波的特征,还揭示了等离子体的物理特性。
光谱学 太赫兹波 等离子体 线状电极 偏置电场 光学学报
2020, 40(10): 1030001
1 西安工业大学 光电工程学院, 西安 710021
2 西北工业集团有限公司, 西安 710032
类金刚石（DLC）薄膜在红外区有很高的透过率，但激光损伤阈值低，严重限制了其应用领域。采用直接在DLC薄膜上沉积Ti电极，基于激光损伤阈值（LIDT）测试平台，用1-on-1零几率损伤法，研究了在不同偏置电场下DLC薄膜损伤阈值及损伤形貌的变化。发现电场强度从0增加到700 V/cm，损伤阈值明显增大；进一步增大偏置电场，损伤阈值相对不变。分析认为偏置电场改变了激光辐照DLC薄膜区域的光生载流子漂移速度，减小了DLC薄膜的局部热累积，减缓了薄膜的石墨化进程，提高了DLC薄膜的抗激光损伤阈值。
类金刚石薄膜 激光损伤阈值 损伤形貌 偏置电场 石墨化 diamond-like carbon film laser-induced-damage threshold damage morphology horizontal electric field graphitization 强激光与粒子束
2015, 27(9): 092003
1 西安理工大学 应用物理系, 西安 710048
2 西安工业大学 光电工程学院, 西安 710032
使用非平衡测控溅射技术沉积了类金刚石薄膜, 对比了外加偏置电场前后薄膜的抗激光损伤表面形貌变化, 发现薄膜施加偏置电场后, 薄膜的激光损伤区域内有大量丝状薄膜, 损伤形貌存在明显不同, 损伤面积减小, 薄膜的激光损伤情况得到改善。这表明外加偏置电场对薄膜的损伤有影响, 激光在薄膜中激励产生的光生电子在电场作用下产生快速漂移, 间接降低了激光辐照区域内的局部能量密度, 减缓了薄膜的石墨化, 提高了薄膜的抗激光损伤能力。
外加偏置电场 类金刚石薄膜 激光损伤 损伤形貌 external electric field diamond-like carbon film laser induced damage threshold damage morphology
