漏电流问题限制了传统半绝缘氮化镓光电导开关的高压应用。提出在半绝缘GaN∶Fe衬底(激光触发区)上增加n型外延层并在其中构造垂直双扩散场效应晶体管元胞阵列(电触发区),即在传统纵向光电导开关结构上引入了一个由栅压控制的反向pn结,利用空间电荷区对载流子的耗尽作用降低半绝缘材料的漏电流。器件建模仿真显示,电、光触发区能合理分担10 kV外加偏置电压,在相同的电场偏置强度下,器件的漏电流低于传统光电导开关两个数量级,而且在绝缘栅开通过程中电触发区偏压能快速转移到光触发区,使光触发区在更高的动态偏置电场下被激光脉冲触发,提高了激光能量利用率。此外,计算分析了激光参数与器件输出特性之间的关系,以进一步提高激光利用率。

精准定位激光束焦点位置是提高激光雕刻、切割、焊接等加工精度的重要基础，而传统测量方法不适用于自动寻找强激光焦点。基于激光烧蚀金属后等离子发光含大量紫外谱线的原理，以日盲的氮化镓肖特基光电二极管为传感器，设计了以304不锈钢靶材为耗材的红外强激光束自动寻焦方法及其装置。该方法与共聚焦显微镜检测平均烧蚀坑深的方法相比，当以脉冲宽度100 ns、重复工作频率20 kHz、平均功率10 W的1064 nm光纤激光雕刻机为实验对象时，二者定焦位置相差24 μm。

使用非平衡测控溅射技术沉积了类金刚石薄膜, 对比了外加偏置电场前后薄膜的抗激光损伤表面形貌变化, 发现薄膜施加偏置电场后, 薄膜的激光损伤区域内有大量丝状薄膜, 损伤形貌存在明显不同, 损伤面积减小, 薄膜的激光损伤情况得到改善。这表明外加偏置电场对薄膜的损伤有影响, 激光在薄膜中激励产生的光生电子在电场作用下产生快速漂移, 间接降低了激光辐照区域内的局部能量密度, 减缓了薄膜的石墨化, 提高了薄膜的抗激光损伤能力。

Photoconductive semiconductor switches (PCSSs) are widely used in high power ultra-wideband source applications and precise synchronization control due to their high power low-jitter high-repetition-frequency. In this letter, a 14-mm gap semi-insulating GaAs PCSS biased under 20 kV is triggered by a 1064-nm laser with a repetition frequency of 30 Hz. Although the trigger condition is greater than the threshold of the lock-on effect, the high gain mode is not observed. The results indicate that the high gain mode of the PCSS is quenched by decreasing the remnant voltage of pulsed energy storage capacitor.