1 中国科学院微电子研究所，北京 100029
2 中国科学院大学集成电路学院，北京 100049
当今世界离不开信息产业，信息产业离不开半导体集成电路芯片制造技术，即微电子技术。集成电路芯片制造工艺中最关键的就是光刻技术。光刻技术开始于1958年美国德克萨斯公司试制的世界上第一块平面集成电路，在短短的60年中，光刻分辨率极限一次又一次被突破，创造了人间奇迹。作为微电子技术工艺基础的光刻技术与微/纳米加工技术是人类迄今为止所能达到的精度最高的加工技术。光刻加工尺寸从百微米到10 nm，加工手段从钢板尺手术刀照相机到电子束光刻，光源波长从光学曝光到极紫外曝光。集成度提高了约百亿倍，特征尺寸线宽缩小到原来的约1/10000。随着纳米集成电路迅猛发展，光刻技术也从等效摩尔时代进入后摩尔时代。
激光与光电子学进展
2022, 59(9): 0922031
1 山西大学光电研究所, 量子光学与光量子器件国家重点实验室山西 太原 030006
2 山西大学, 极端光学协同创新中心山西 太原 030006
本文设计并搭建了一套激励光和超声探测器对向共轴共焦的具备亚细胞尺度成像分辨率和毫米级成像深度的光学分辨率光声显微成像（OR-PAM：Optical-resolution photoacoustic microscopy）系统。与基于多纵模脉冲激光激励的光声成像系统相比，使用自制的单纵模纳秒532 nm 脉冲激励光源，将光声探测的信号强度提高了1.35 倍，测得成像系统的轴向分辨率为18 m，横向分辨率为8 m，成像深度为1:54 mm，成像深度-横向空间分辨率比达192.5。利用研制的OR-PAM 系统对嵌有碳纤维丝的仿体样品以及活体小鼠的耳朵进行成像，获得了高分辨率的图像。
单纵模纳秒脉冲激光 光学分辨率 光声显微成像 亚细胞结构尺度 single longitudinal mode nanosecond pulsed laser optical resolution photoacoustic microscopy subcellular structure
1 中国科学院上海光学精密机械研究所激光与光电子功能材料中心, 上海 201800
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 中国科学院上海高等研究院宏观量子现象与应用中心, 上海 201210
4 中国科学院化学研究所光化学实验室, 北京 100190
利用开环态双光子吸收转化荧光光谱、荧光淬灭光谱等探究了二芳基乙烯的光学记录特性及参数, 得到其非线性吸收系数为3.46×10-13 m/W, 双光子吸收转化的阈值功率密度为107.36 GW/cm2, 荧光淬灭的阈值功率密度为2.89 GW/cm2。基于所得到的测试参数, 理论计算出其在超分辨光存储中的分辨率可达60.0 nm, 并设计了一种基于二芳基乙烯的双光子双光束超分辨光存储信息记录和读出方法。研究结果表明, 二芳基乙烯具有光诱导-光抑制、非线性吸收及荧光淬灭等特性, 是一种优异的超分辨光存储备选材料。
材料 光数据存储 光学分辨率 超分辨光学记录 光诱导-光抑制 二芳基乙烯
1 中国科学院大学，北京 100049
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 中国科学院航空光学成像与测量重点实验室,长春 130033
以Q值作为参照指标，考虑光学系统分辨率和探测器分辨率，通过图像仿真效果的对比讨论了不同Q值成像系统的成像质量.结果表明: 成像系统设计过程中需在光学系统分辨率和探测器分辨率之间进行权衡，Q=2时成像系统的成像质量最好，但实际设计过程中考虑到其他因素（系统信噪比、场景大小、运动模糊等），往往取Q<2可获得高品质图像.因此,Q值可作为参考指标为光电成像系统设计提供一定指导.
成像系统 光学分辨率 探测器分辨率 成像质量 Imaging system Optics resolution Detector resolution Image quality
