用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格，探索了最佳的生长厚度，优化了各种生长参数，并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明，生长的超晶格材料可以响应10 μm的长波，且具有良好的表面形貌和外延层质量.

利用320 kV高压综合实验平台，通过6 MeV Xe离子辐照Eu掺杂氧化镁(MgO)单晶样品对其光致发光现象进行了研究。Xe离子辐照后，样品380~550 nm的发光带出现先减弱后增强的现象，400~450 nm处出现了平坦的较宽的蓝色发光带，经拉曼光谱和红外光谱的综合分析可知离子辐照能够使掺杂的Eu很好的进入晶体内部形成稳定的缺陷类型，产生更好的发光效果。

通过光致发光光谱,研究了量子限制效应对GaAs 体材料中均匀掺杂和一系列GaAs/ AIAs 多量子阱(阱宽范围从30?到200?) 中d 一掺杂浅受主杂质缺(Be) 原子带间跃迁的影响。实验中所用的样品是利用分子束外延技术生长的均匀掺Be 受主的GaAs外延层和一系列在量子阱的中央进行了浅受主Be 原子d 掺杂的GaAs/ AIAs 多量子阱。在4.2K 的低温下,测量了上述样品的光致发光谱,很清楚地观察到了受主束缚激子从基态18 3/ 2 (f 6) 到两个激发态28 3/ 2 (f 6) 和383/ 2 (f 6) 的双空穴跃迁。研究发现,随着量子限制效应的增强,受主跃迁能量会增加。对量子限制效应调节受主杂质问跃迁能量的研究,进一步增强了对受主能态可调性的认识,为太赫兹远红外发光器或激光器的研发提供了一种新的途径。

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了Eu掺杂的SiO2干凝胶，分别用光致发光(PL)光谱、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)、红外吸收(IR)谱等分析手段对样品进行了表征，研究了SiO2的基质中Eu3+、Eu2+的发光特性以及退火温度对发射光谱的影响，并对其发光机理进行了分析。结果表明，样品掺杂均匀，颗粒尺寸大约在50~80 nm，硼(B)离子进入SiO2网格，成为了基质的一部分，改变了基质的网络结构。当采用258 nm激发样品时，随着退火温度的升高，红光发射强度先增强后减弱。对于经800 ℃退火处理的样品红光发射最强，出现了576 nm(5D0 →7F0)，620 nm(5D0 →7F2)，658 nm(5D0 →7F3)3条谱线，其中主峰位于 620 nm红光发射，对应于Eu3+离子的5D0 →7F2超灵敏跃迁，进一步说明B离子参与到基质中，形成了Si—O—B键，导致Eu3+离子所处配位环境的对称性降低，从而有利于Eu3+离子的特征发射；当采用271 nm激发样品时，随着退火温度的升高，蓝光发射强度先增强后减弱，经850 ℃退火的样品400~500 nm蓝光发射最强，归属于Eu2+的5d→4f的跃迁发射，证明在铝离子(Al3+)存在的情形下，在高温退火过程中Al3+部分取代Si4+形成AlO-4基团，掺杂Eu3+填补AlO-4基团附近的空位，增加了Eu3+周围的AlO-4四面体中氧原子的电子给予能力，使得Eu3+还原成Eu2+，从而得到了较强的蓝光发射。但是，当退火温度达到900 ℃时，由于稀土离子发生位置的迁移形成团簇红光和蓝光都明显地降低。