1 北京控制工程研究所,北京 100190
2 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安710119
采用低压金属有机物化学气相沉积(LPMOCVD)设备,在(100)面GaSb单晶衬底上生长了高质量的InAsSb材料。分析了InAs/GaSb超晶格红外材料在不同生长条件下的生长质量,对器件材料结构进行了表征,并进行了理论分析和优化生长。采用X射线双晶衍射原子力显微镜对其外延薄膜的单晶质量进行分析,得到外延层与衬底材料的晶格失配仅为-0.43%。通过调节过渡层材料来减小界面处的应变,提高材料的生长质量,利用光致发光谱对材料做了检测分析。给出了InAsSb材料的LPMOCVD生长的参数分析和测量分析,为以后生长和分析InAsSb材料提供了很好的基础。
超晶格 GaSb衬底 红外探测器 InAsSb InAsSb LPMOCVD LPMOCVD superlattices GaSb substrate infrared detectors
1 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室，陕西 西安710119
2 中国科学院研究生院，北京100049
3 吉林大学 集成光电子国家重点实验室，吉林 长春130012
用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格，探索了最佳的生长厚度，优化了各种生长参数，并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明，生长的超晶格材料可以响应10 μm的长波，且具有良好的表面形貌和外延层质量.
InAs/GaSb超晶格 禁带宽度 金属有机物化学气相淀积法(MOCVD) 原子力显微镜(AFM) 光致发光(PL)谱 InAs/GaSb superlattice band gap metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) atomic force microscope(AFM) PL spectra
1 西安交通大学应用物理系， 陕西 西安 710049
2 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室， 陕西 西安 710119
3 西安炬光光电科技有限公司， 陕西 西安 710119
国家863计划(2009AA032704)和中国科学院“计划”资助课题。
激光器 半导体激光器 激光器巴条/阵列 热行为 空间光谱 铟焊料
1 中国科学院 西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西 西安 710119
2 西安炬光科技有限公司,陕西 西安 710119
3 上海交通大学 理学院,上海 200240
中国科学院“计划”项目资助课题。
激光器 半导体激光器 高功率 单发射腔 热阻 特征温度
1 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西 西安 710119
2 天津大学 化工学院,天津 300072
3 西安炬光科技有限公司,陕西 西安 710119
中国科学院“计划”资助课题。
半导体激光器 激光器巴条/阵列 光谱展宽 封装技术 金属合金相
1 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 710119
2 中国科学院研究生院，北京 100049
3 长安大学 理学院,西安 710061
4 ,中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 710119
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备，在（100）面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征，获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料，在77 K下得到光致发光谱峰值波长为3.25 μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响，得出生长温度在500 ℃~520 ℃，无过渡层，使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.
超晶格 金属有机源化学气相沉积 界面层 表面形貌 Superlattices LP-MOCVD Interfacial layer Surface morphology
1 天津大学化工学院, 天津 300072
2 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 陕西 西安 710119
3 西安炬光光电科技有限公司, 陕西 西安 710119
国家自然科学基金(50528506)、中国科学院计划和瞬态光学与光子技术国家重点实验室开放基金资助课题。
激光器 半导体激光器 热行为 有限单元法 激光器巴条 可靠性
1 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
2 长安大学理学院,西安,710061
3 吉林大学电子工程学院,长春,130023
4 西北大学电子工程系,西安,710069
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、V/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.
生长温度 LP-MOCVD LP-MOCVD GaSb InAsSb Growth temperature GaSb InAsSb
1 长安大学理学院, 西安 7100612
2 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安 710068
采用自制的LP-MOCVD设备,在Ge衬底外延生长出GaAs电池结构,并对电池结构片进行了后工艺制作,同时对电极制作中银镀层结合力的影响因素进行了研究。研究结果表明选择带电入池,无冲击电流方式时,可增强银镀层的结合力。同时采用扫描电子显微镜(SEM)和电子微探针对n型Ge衬底上AuGeNi背电极不同层面的成分进行了分析测试,测试数据表明钨污染将会使银镀层结合力变差。
电镀银 太阳电池 结合力 激光与光电子学进展
2004, 41(12): 31
