1 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室，陕西 西安710119
2 中国科学院研究生院，北京100049
3 吉林大学 集成光电子国家重点实验室，吉林 长春130012
用金属有机物化学气相淀积法(MOCVD)在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超晶格，探索了最佳的生长厚度，优化了各种生长参数，并且分析了源流量控制的重要性.得到的超晶格材料的光致发光(PL)谱、X射线双晶衍射图以及表面形貌图表明，生长的超晶格材料可以响应10 μm的长波，且具有良好的表面形貌和外延层质量.
InAs/GaSb超晶格 禁带宽度 金属有机物化学气相淀积法(MOCVD) 原子力显微镜(AFM) 光致发光(PL)谱 InAs/GaSb superlattice band gap metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) atomic force microscope(AFM) PL spectra
1 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
2 长安大学理学院,西安,710061
3 吉林大学电子工程学院,长春,130023
4 西北大学电子工程系,西安,710069
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、V/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.
生长温度 LP-MOCVD LP-MOCVD GaSb InAsSb Growth temperature GaSb InAsSb
