1 广西有色金属隐伏矿床勘查及材料开发协同创新中心, 桂林理工大学, 广西 桂林 541004
2 桂林理工大学地球科学学院, 广西 桂林 541004
3 广州市地质调查院, 广东 广州 510440
4 广西地质调查院, 广西 南宁 530023
5 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司, 广西有色金属工程技术研究中心, 广西 桂林 541004
XRD-Rietveld全谱拟合方法突破了传统XRD定量分析的众多技术局限, 在解决复杂多相混合物的定量问题方面具有显著优势。 将XRD-Rietveld全谱拟合方法引入风化壳矿物学研究, 有助于解决长期以来地学界对风化壳中矿物组分缺乏准确定量认知的技术瓶颈。 在制定专门针对风化样品的全谱拟合精修策略基础上, 以广西玉林大容山地区的花岗岩风化壳为研究对象, 对发育在两组不同岩性之上的风化剖面(剖面A和剖面B)进行了对比研究。 结果表明, 风化剖面A(母岩为粗粒黑云母花岗岩)的矿物组合及含量变化范围为: 高岭石(6.05%～44.67%)+伊利石(15.85%～49.59%)+石英(29.72%～46.15%)+钾长石(12.04%～22.85%)+斜长石(24.33%～32.70%); 风化剖面B(母岩为细粒黑云母花岗岩)的矿物组合及含量变化范围为: 高岭石(3.12%～11.47%)+伊利石(13.95%～31.94%)+石英(26.60%～58.05%)+钾长石(13.70%～43.47%)+斜长石(17.95%～23.47%)。 两组剖面的全谱拟合修正因子Rwp值<15且gof值<5, 计算谱与原始谱拟合效果好, 指示矿物定量数据可靠, 且能与地质规律较好匹配。 在地质意义上, 本研究通过母岩原生矿物与次生矿物的含量同步变化, 深入揭示了研究区内花岗岩的化学风化过程, 厘定了长石类矿物在亚热带气候环境下所经历的长石→伊利石→高岭石演变序列。 基于剖面A与剖面B中粘土矿物总量和矿物构成出现显著差异, 研究认为在研究区内粗粒黑云母花岗岩比细粒黑云母花岗岩更易遭受强烈的化学风化作用。
XRD-Rietveld全谱拟合 矿物定量 风化壳 花岗岩 广西 XRD-Rietveld full-spectrum fitting Mineral quantification Regolith Granite Guangxi 光谱学与光谱分析
2018, 38(7): 2290
Author Affiliations
Abstract
School of Science, Chang’an University, Xi’an 710064, China
Two kinds of novel blue-emitting materials, anthracene-based derivatives, are synthesized by the Suzuki coupling reaction. It is worth noting that the maximum emission wavelengths of the two materials are 441 and 444 nm in tetrahydrofuran and 456 and 454 nm in film states, which are the typical blue fluorescence and the fluorescence quantum yields of them are 0.87 and 1.12 by using 9,10-diphenylanthracene (Φf=0.90) as a calibration standard. The full width at half maximum of them are 56, 55 nm in solution, respectively, presenting good color purity. Both of them display superior thermal properties and electrochemical properties. Scanning electronic microscope results show that the films of two compounds are continuous, compact, and smooth after 100°C for 3 h. These data indicate their potential to be prepared for high efficiency and long operation lifetime organic light-emitting diodes devices.
230.3670 Light-emitting diodes 160.2540 Fluorescent and luminescent materials 160.4890 Organic materials Chinese Optics Letters
2015, 13(4): 042301
1 北京农业信息技术研究中心, 北京100097
2 中国农业大学食品科学与营养工程学院, 北京100083
3 北京农产品质量检测与农田环境监测技术研究中心, 北京100097
显微近、 中红外成像不仅可以获得样品的光谱信息， 而且可以获得样品的空间分布信息， 这是传统的近、 中红外光谱分析所无法比拟的。 该文以外观非常相似的聚乙烯膜(材料Ⅰ)和封口膜(材料Ⅱ)为研究对象， 分别采集了样品的显微近、 中红外图像。 针对两种材料进行化学成像和相关光谱成像， 比较并讨论了每种材料的两种成像方法。 结果表明， 材料Ⅱ的显微近、 中红外化学成像中， 两种材料化学成像值相差分别为0.004 8和0.254 8； 材料Ⅰ的显微近、 中红外化学成像中， 两种材料化学成像值相差分别为0.002 6和0.326 5； 近、 中红外谱区的显微成像皆可得到两种材料清晰的成像， 从而可区分两种材料。 对两种材料相关光谱成像的研究表明， 分别以两种材料的近、 中红外光谱作为参比光谱的相关光谱成像可以明显地区分两种材料， 成像结果较清晰； 显微中红外相关光谱成像中， 两种材料的光谱和参比光谱的相关系数差异大于0.12， 成像结果更清晰； 而显微近红外相关光谱成像图可利用图像中两种材料光谱和参比光谱相关系数的细微差异区分两种材料。 该研究为农产品包装材料安全性的快速判别提供一定的参考， 并为显微近、 中红外成像分辨不同材料提供一定的成像方法参考。
化学成像 显微近红外成像 显微中红外成像 塑料 分布 Chemical imaging NIR micro-imaging MIR micro-imaging Plastics Distribution 光谱学与光谱分析
2011, 31(9): 2377
1 上海交通大学农业与生物学院, 上海200240
2 北京农产品质量检测与农田环境监测技术研究中心， 北京100097
3 国家农业信息化工程技术研究中心， 北京100097
红外显微成像技术诞生于20世纪90年代中期， 该方法的应用研究在国外刚刚起步， 而在国内这项技术还未被广泛认识。 它是一种快速、 无损的检测技术， 具有图谱合一、 微区化、 可视化、 高精度和高灵敏度等优点。 文章概述了红外显微成像系统的组成、 工作原理及工作方式， 重点介绍了其在生物医学、 微生物学、 法庭科学、 材料学、 营养饲料学以及农产品质量检测方面的研究进展， 分析了红外显微成像技术的研究难点， 并对其发展趋势进行了展望。
红外 显微成像 光谱 检测 Infrared Microscopic imaging Spectrum Detection 光谱学与光谱分析
2011, 31(9): 2313
1 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 710119
2 中国科学院研究生院，北京 100049
3 长安大学 理学院,西安 710061
4 ,中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室，西安 710119
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备，在（100）面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征，获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料，在77 K下得到光致发光谱峰值波长为3.25 μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响，得出生长温度在500 ℃~520 ℃，无过渡层，使用InAsSb界面层有利于改善材料的表面形貌.
超晶格 金属有机源化学气相沉积 界面层 表面形貌 Superlattices LP-MOCVD Interfacial layer Surface morphology
1 长安大学理学院,西安 710061
2 中国科学院西安光学精密机械研究所,西安 710068
利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在Ge衬底上生长GaAs外延层。通过改变GaAs过渡层的生长温度对GaAs外延层进行了表征，利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪研究了表面形貌和晶体质量，优化出满足高效太阳能电池要求的高质量GaAs单晶层生长条件。
过渡层 生长温度 晶体质量
1 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
2 长安大学理学院,西安,710061
3 吉林大学电子工程学院,长春,130023
4 西北大学电子工程系,西安,710069
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、V/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.
生长温度 LP-MOCVD LP-MOCVD GaSb InAsSb Growth temperature GaSb InAsSb
1 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
2 长安大学理学院,西安,710061
3 西北大学电子工程系,西安,710069
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在(100)面偏(110)面 9°的Ge单晶衬底上外延生长了GaInP2材料,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、生长速率等生长参数对GaInP2材料的表面形貌和固相组分的影响.结果表明,当GaInP2材料的生长温度为650～680℃,生长速率为25～35 nm/min,Ⅴ/Ⅲ为180～220时,获得了满足级联电池的GaInP2材料.
材料 LP-MOCVD LP-MOCVD GaInP_2 Ge GaInP2 Material Ge
1 长安大学理学院, 西安 7100612
2 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安 710068
采用自制的LP-MOCVD设备,在Ge衬底外延生长出GaAs电池结构,并对电池结构片进行了后工艺制作,同时对电极制作中银镀层结合力的影响因素进行了研究。研究结果表明选择带电入池,无冲击电流方式时,可增强银镀层的结合力。同时采用扫描电子显微镜(SEM)和电子微探针对n型Ge衬底上AuGeNi背电极不同层面的成分进行了分析测试,测试数据表明钨污染将会使银镀层结合力变差。
电镀银 太阳电池 结合力 激光与光电子学进展
2004, 41(12): 31
1 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
2 长安大学基础课部,西安,710061
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X射线衍射分析.另外,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试,测试结果表明,Ge衬底的高温处理工艺对GaAs/Ge太阳电池的电流电压特性有一定的影响.试验表明,在600～700℃之间高温处理效果较好.
太阳电池 LP-MOCVD GaAs/Ge
