1 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
2 长安大学理学院,西安,710061
3 吉林大学电子工程学院,长春,130023
4 西北大学电子工程系,西安,710069
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、V/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.
生长温度 LP-MOCVD LP-MOCVD GaSb InAsSb Growth temperature GaSb InAsSb
