1 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
2 长安大学理学院,西安,710061
3 吉林大学电子工程学院,长春,130023
4 西北大学电子工程系,西安,710069
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,分析研究了生长温度、V/Ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与GaSb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的InAsSb外延层.
生长温度 LP-MOCVD LP-MOCVD GaSb InAsSb Growth temperature GaSb InAsSb
1 中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
2 长安大学基础课部,西安,710061
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备, 在Ge衬底(100)面向(111)偏9°外延生长出GaAs电池结构,对电池材料进行了X射线衍射分析.另外,对由此材料制成的太阳电池进行了性能测试,测试结果表明,Ge衬底的高温处理工艺对GaAs/Ge太阳电池的电流电压特性有一定的影响.试验表明,在600～700℃之间高温处理效果较好.
太阳电池 LP-MOCVD GaAs/Ge
中国科学院西安光学精密机械研究所,光电子学室,西安,710068
以聚甲基丙烯酸甲脂为材料,采用热压成型工艺加工成型线聚焦菲涅尔聚光透镜(8×),可用于空间、地面光伏系统太阳电池组件的聚光系统,并对在其聚光条件下,太阳电池的电流电压特性进行测试,结果表明,该菲涅尔线聚焦棱镜能有效提高太阳电池的单位输出功率.模具的机械加工精度和光学抛光精度低,是造成其部分聚光率损失的原因.
菲涅尔透镜 太阳聚光器 聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
利用低压金属有机化合物汽相淀积(LP-MOCVD)系统,通过调节生长参量和掺杂工艺,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从8×1017到4×1021可控的掺碳GaAs外延层,最后给出一应用实例-用重掺碳的GaAs 材料做级联GaInP/GaAs/Ge 太阳能电池的隧道结.
碳掺杂 GaAs隧道结 GaAs
1 中国科学院西安光学精密机械研究所,光电子学室,西安,710068
2 中国科学院研究生院,北京,100039
以PMMA为材料,采用热压成型工艺加工线聚焦菲涅尔聚光棱镜,对在其聚光条件下不同入射角度情况下太阳电池的电流电压特性进行测试,结果表明:该菲涅尔线聚焦棱镜能有效提高太阳电池的单位输出功率,而且具有比较宽泛的集光角的特性,基本满足实际应用的要求.
菲涅尔棱镜 太阳聚光器 太阳电池 PMMA
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积(LP-MOCVD)设备,在Ge(100)向(110)面偏9°外延生长出GaAs单晶外延层,对电池材料进行了X射线衍射测试分析,半峰宽为52″.讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关,而且与GaAs单晶外延生长参量有关.适当的生长速率可有效地抑制反向畴的生长.
液相金属氧化物化学汽相沉积 反向畴 GaAs/Ge
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室,西安,710068
介绍了GaAs光电阴极在高温烘烤后不同深度上Ga原子和As原子氧化的XPS分析结果,并对GaAs中的Ga原子比As原子更容易氧化以及GaAs光电阴极在经过高温烘烤后,其激活所能达到的阴极灵敏度偏低的现象进行了分析.
GaAs光电阴极 真空 氧化 XPS
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室,西安,710068
利用透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层的结构特点及其X射线衍射摇摆曲线分析方法,解释了AlGaAs/GaAs外延层摇摆曲线半峰宽和其衍射角角位移随外延层生长温度升高而增大的现象.
X射线 光电阴极 衍射 外延 GaAs AlGaAs
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室,西安,710068
研究了AlGaAs窗层中Al组份的X射线衍射分析原理和计算方法,并给出了实例.
光电阴极 衍射 外延 晶格常量 GaAs AlGaAs
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学研究室,西安,710068
本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点,分析了透射式GaAs光电阴极样品AlGaAs/GaAs外延层的倒易点二维图,获得了晶面弯曲以及AlGaAs外延层中Al组份变化等方面的信息,为优化外延工艺提供了可靠的保证.
X射线衍射 光电阴极 倒易点二维图 AlGaAs/GaAs
