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光电子学与光通信
生长速率对低压MOCVD外延生长GaAs/Ge异质结的影响
汪韬 李宝霞 李晓婷 赛小锋 高鸿楷 
作者单位
摘要
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积(LP-MOCVD)设备,在Ge(100)向(110)面偏9°外延生长出GaAs单晶外延层,对电池材料进行了X射线衍射测试分析,半峰宽为52″.讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关,而且与GaAs单晶外延生长参量有关.适当的生长速率可有效地抑制反向畴的生长.
液相金属氧化物化学汽相沉积 反向畴 GaAs/Ge 
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光子学报
2002, 31(12): 1479
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