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MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究
李宝霞 汪韬 李晓婷 赛小锋 高鸿楷 
作者单位
摘要
中国科学院西安光学精密机械研究所光电子学室,西安,710068
利用低压金属有机化合物汽相淀积(LP-MOCVD)系统,通过调节生长参量和掺杂工艺,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从8×1017到4×1021可控的掺碳GaAs外延层,最后给出一应用实例-用重掺碳的GaAs 材料做级联GaInP/GaAs/Ge 太阳能电池的隧道结.
碳掺杂 GaAs隧道结 GaAs 
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光子学报
2003, 32(2): 249
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