中国工程物理研究院应用电子学研究所，四川 绵阳 621900
未来极紫外光刻技术的发展亟需更高功率的光刻光源，能量回收型自由电子激光光源可以实现千瓦量级以上的功率输出，是一种极具潜力的高功率极紫外光刻光源。主要介绍了高功率能量回收型自由电子激光光源的工作原理、发展现状以及所面临的关键技术挑战。
激光光学 极紫外光刻 能量回收型直线加速器 自由电子激光 光阴极注入器 超导加速器
光学 精密工程
2023, 31(17): 2505
强激光与粒子束
2022, 34(12): 124001
1 宿迁学院信息工程学院，江苏宿迁 223800
2 南京理工大学电子工程与光电技术学院，江苏南京 210094
在蓝宝石基底上外延生长了多层结构氮化镓光阴极薄膜材料并进行表面光电压测试；对比分析了掺杂类型、厚度和掺杂方式对氮化镓材料表面光电压的影响，确定了多层结构氮化镓材料表面光电压产生机理；借助亚带隙激光辅助，针对均匀掺杂和 .-掺杂氮化镓（ GaN）光电阴极薄膜材料进行了表面光电压测试；实验数据表明，相较于均匀掺杂， .-掺杂可以获得更好生长质量，但也提高了在能级(Ev＋0.65)eV~(Ev＋1.07)eV范围的缺陷态密度。
氮化镓 光阴极 表面光电压谱 gallium nitride, photocathode, photovoltage spectr
强激光与粒子束
2022, 34(10): 104018
强激光与粒子束
2022, 34(10): 104016
1 微光夜视技术重点实验室，西安 710065
2 南京理工大学 电子工程与光电技术学院，南京 210094
为提高激活后GaAs光阴极的稳定性，延长微光夜视器件的工作寿命，围绕Cs/O激活方法和衰减特性进行实验研究。通过对比传统“yo-yo”激活法和改进“yo-yo”激活法在Cs/O激活光电流、光谱响应以及光照衰减方面的差异，发现采用改进“yo-yo”激活法的GaAs光阴极光谱灵敏度更高且稳定性更好。利用四极质谱仪监测真空腔内残气成分和分压强变化，基于衰减模型拟合光电流实验曲线，求得不同残气成分对GaAs光阴极性能衰减影响的权重因子。结果表明水蒸气和二氧化碳的影响最大，甲烷和一氧化碳次之，氢气几乎不产生影响，而其它碳氢有机分子也会产生负面影响。总体看来，改进的“yo-yo”激活法对GaAs光阴极表面吸附含氧气体分子造成的性能衰减具有明显的改善效果，这将有助于提高微光夜视器件中GaAs光阴极的稳定性。
GaAs光阴极 Cs/O激活 残余气体 稳定性 光谱响应 GaAs photocathode Cs/O activation Residual gas Stability Spectral response 强激光与粒子束
2021, 33(9): 094002
1 南京理工大学电子工程与光电技术学院, 江苏 南京 210094
2 北方夜视技术股份有限公司, 江苏 南京 211106
3 微光夜视技术重点实验室, 陕西 西安 710065
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了K-Cs反位、K-Sb反位、Cs-Sb反位对K-Cs-Sb阴极电子结构和光学性质的影响,对不同缺陷模型的能带结构、态密度、形成能等电子结构性质,以及折射率、消光系数、吸收系数等光学性质进行了分析。电子结构性质计算结果表明,Sb被过剩碱金属占据的K-Cs-Sb反位缺陷模型具有间接带隙结构,且呈现n型半导体性质,而K-Cs反位缺陷体系以及碱金属被过剩Sb占据的K-Cs-Sb反位缺陷模型均呈现p型半导体性质。与其他反位缺陷模型相比,K2Cs0.75Sb1.25更容易形成且更稳定。光学性质计算结果表明,碱金属过剩会造成吸收系数峰值往低能端偏移,而Sb金属过剩则相反。在中微子与闪烁体作用辐射的能量范围内(即2.4~3.2 eV),K2Cs0.75Sb1.25的吸收系数最大,折射率最小,相比传统K2CsSb更适合作为光电发射材料。
材料 K2CsSb光阴极 反位缺陷 光学性质 电子结构 第一性原理 光学学报
2021, 41(12): 1216001
强激光与粒子束
2020, 32(6): 064001
