在同成分LiNbO3中，掺入ZnO的摩尔分数分别为1%、3%、5%、7%和9%，掺入(质量分数)0.03% MnCO3和0.08%Fe2O3，采用提拉法生长了优质Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体.测试Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-红外吸收光谱，抗光损伤能力和位相共轭性能.Zn离子浓度在7%和9%时，OH-吸收峰移到3 528 cm－1,讨论OH-吸收峰移动机理.随着Zn离子浓度增加，抗光损伤能力增加.Zn离子浓度增加到7%,达到阈值.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体高二个数量级，研究高掺锌Mn∶Fe∶LiNbO3晶体抗光损伤增强机理.随着Zn离子浓度增加，Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭反射率降低，位相共轭响应速度增加.Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体位相共轭镜消除了光波的位相畸变.以Zn∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体作存储介质进行全息关联存储实验.讨论全息关联存储的工作原理.以原图象的25%和50%进行寻址，在输出平面上接收到较完整的存储图象.

为了测试Zr:Fe:LiNbO₃晶体的红外光谱、抗光折变阈值、位相共轭和全息关联存储性能,采用Czochralski方法生长Zr:Fe:LiNbO₃晶体。通过实验得出Zr:Fe:LiNbO₃晶体红外光谱对应的OH-吸收峰移到3488cm-1;随着Zr4+摩尔分数的增加,Zr(摩尔分数xZr=0.06):Fe:LiNbO₃晶体抗光折变阈值比Fe:LiNbO₃晶体提高一个数量级以上,且晶体的位相共轭响应速度增加,而位相共轭反射率有所下降,Zr(xZr=0.02):Fe:LiNbO₃晶体响应速度比Fe:LiNbO₃晶体提高一个数量级;另外,以Zr(xZr=0.04):Fe(质量分数wFe=0.0003):LiNbO₃作为存储介质,Zr(xZr=0.06):Fe(wFe=0.0003):LiNbO₃晶体作为位相共轭镜,进行全息关联存储实验,在输出平面上接收到较完整的存储图像。结果表明,Zr:Fe:LiNbO₃晶体具有强的抗光折变能力与优良的关联存储性能。

报道了Ce∶Ho∶LiNbO₃晶体的生长, 研究了晶体的衍射效率、存储时间、图像质量等全息存储性能。用Ce∶Ho∶LiNbO₃晶体作记录介质, 实现了实时关联存储。

应用形态击中击不中变换,提出了一种提高光学全息关联存储寻址准确性的方法,并给出了实验演示。

本文将局域互联神经网络的新概念推广到两维情形,并对两维局域互联关联存储进行了理论分析和大量的计算机模拟.结果表明,两维局域互联神经网络的优点是,在满足存储容量限制的前提下,它与全局互联神经网络具有相同的关联存储能力,而其互联权重矩阵要比全局互联网络小得多.因而,有利于使用现有的空间光调制器实现两维大规模的人工神经网络.

本文用提拉法从熔体中生长了Ce:Fe:LiNbO3晶体,并采用二波混合和简并四波混合方法研究和测试了晶体的全息衍射效率和相位共轭反射率.以Ce:Fe:LiNbO3晶体作为存储元件和相位共轭镜,实现了光学实时全息关联存储.