针对 P型金属氧化物半导体 (PMOS)剂量计对 60 Co和 10 keV光子的剂量响应差异问题，本文对 400 nm-PMOS剂量计进行了不同栅压条件下 60 Co γ射线和 10 keV X射线的对比辐照试验，并通过中带电压法和电荷泵法分离氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的影响，发现 PMOS对 10 keV光子的响应明显低于 60 Co γ射线，其中主要的差异来自氧化物陷阱电荷，退火的差异表示不同射线辐照下的陷阱电荷竞争机制不同，不同的分析方法也带来一定差异。通过使用剂量因子和电荷产额修正，减小了剂量响应的差异，同时对响应的微观物理机制进行了解释。通过有效剂量修正和电荷产额修正可以很大程度上减小不同能量的剂量响应差异，为 PMOS的低能光子辐射环境应用提供了参考。

采用中频感应提拉法生长了高光学质量的YAP:Cu(原子数分数为0.5%)单晶，使用RisFTL/OSL-DA-15型热释光(TL)和光释光(OSL)仪系统研究了其TL 性能。研究结果表明：YAP:Cu单晶存在431K和482K两个热释光峰，482K处为主发光峰；TL峰位置不随辐照剂量的变化而变化,显示其为一级动力学峰；YAP:Cu单晶的TL 辐射剂量响应在10-5-102Gy范围内呈较好的线性关系。YAP:Cu晶体是一种TL性能优良并具有潜在应用价值的电离辐射剂量计材料。

利用串列静电加速器产生的5~9 MeV的质子束对HD-810型辐射变色膜片（RCF）进行了标定。用分光光度计和普通的商用平板扫描仪对辐照后的RCF透过率进行了测量，得到了光学密度变化随RCF灵敏层吸收剂量的变化曲线。标定实验结果表明:在一定的吸收剂量范围内,RCF的光学密度变化与RCF灵敏层中吸收剂量成线性关系，并且与质子能量无关。测量光学密度所用光源的波长对线性范围的大小有较大影响，绿光(532 nm)比红光(670 nm)有更大的剂量探测范围。