提出一种具有梯度双层掺杂纳米颗粒封装胶结构的白光LED模块，采用热溶液法在倒装芯片表面涂覆掺杂一定浓度TiO2纳米颗粒的remote层和荧光胶薄膜层，制备成模块样品。利用仪器设备对样品的光色性能进行测试和机理分析。实验结果表明，在芯片和荧光胶薄膜间添加remote层，中心法线处的光提取率比未涂覆remote层增加了32.35%，拟合直线斜率趋向水平，光子空间分布均匀性改善明显。荧光胶薄膜掺杂SiO2颗粒，随着SiO2掺杂浓度增加，色温分布曲线逐渐平缓，平均色温由掺杂浓度为0%时的6199.66K下降到5103.24K，下降了21.48%。光通量测量值随着SiO2掺杂浓度增加先提升后下降，掺杂浓度为0.6%时，达到最大值181mlm，相较于未掺杂SiO2颗粒提高了9.70%。双层结构白光LED模块界面间通过梯度递减折射率的方式提高光子提取效率，空间颜色的一致性改善明显，为提高白光LED模块的品质提供一种借鉴。

通过室温下的时间积分光致发光(PL)谱，研究了阱宽Lw渐变的ZnO/Mg0.1Zn0.9O单量子阱在高激发强度下的能带重正化与阱宽的关系。实验中光生载流子浓度为n=1.6×1014 cm-2，在Lw从2.3 nm渐变到4.3 nm，PL谱峰位的红移量从5.9 meV变化到97.1 meV。红移量随阱宽增大而增加，但增加率却逐渐减少。当Lw>2αB(αB，ZnO体材料激子玻尔半径，约为2 nm)时，红移量逐渐呈现出饱和的趋势(100 meV)。研究发现峰位的红移是由于多体效应所导致的能隙收缩以及在高的激发强度下带内填充效应的这两种机理相互竞争的结果。

PbTe/CdTe 量子阱是一类新型异系低维结构材料,实验观察到具有强的室温中红外光致发光现象。建立了理论模型,计算了PbTe/CdTe量子阱的自发辐射率和光学增益。模型中量子阱分立能级的计算采用 k·p包络波函数方法和有限深势阱近似,考虑了PbTe能带结构的各项异性和阱层中应变对能级的影响。计算了PbTe/CdTe量子阱自发辐射谱与带间弛豫和注入载流子浓度间的依赖关系,计算结果与实验观察到的光致发光峰相符合。自发辐射谱线峰位随着注入载流子浓度的增加而出现蓝移,当载流子浓度从2×1017 cm-3增加到2.8×1018 cm-3,基态发射峰从372 meV蓝移到397 meV,而第一激发态发射峰蓝移量为15 meV。上述蓝移现象是由载流子与载流子及载流子与声子间的相互作用引起的。与PbTe体材料相比,PbTe/CdTe量子阱结构具有更高的增益强度(提高近15倍)和更宽的增益区,因而该体系可能是实现室温连续工作的中红外激光器的理想材料。