1 中山大学光电材料与技术国家重点实验室, 广东 广州 510275
2 厦门大学物理系半导体光子学研究中心, 福建 厦门 361005
通过室温下的时间积分光致发光(PL)谱，研究了阱宽Lw渐变的ZnO/Mg0.1Zn0.9O单量子阱在高激发强度下的能带重正化与阱宽的关系。实验中光生载流子浓度为n=1.6×1014 cm-2，在Lw从2.3 nm渐变到4.3 nm，PL谱峰位的红移量从5.9 meV变化到97.1 meV。红移量随阱宽增大而增加，但增加率却逐渐减少。当Lw>2αB(αB，ZnO体材料激子玻尔半径，约为2 nm)时，红移量逐渐呈现出饱和的趋势(100 meV)。研究发现峰位的红移是由于多体效应所导致的能隙收缩以及在高的激发强度下带内填充效应的这两种机理相互竞争的结果。
半导体光学 能隙重正化 光致发光 单量子阱
湖南大学计算机与通信学院微纳光电器件及应用教育部重点实验室， 湖南 长沙 410082
从理论和实验两方面研究了一种新型单边带调制(SSB)技术，通过在中心站合适设置单臂强度调制器的偏置电压，使调制器产生的奇数边带被抑制，采用滤波器滤除其中的一个二阶边带，即可产生单边带信号。用该新型的单边带调制技术产生的光毫米波理论上可以传输148 km。同时搭建了实验系统，采用10 GHz的本振信号源与2.5 Gbit/s的数字信号混频后驱动单臂强度调制器产生抑制奇数边带的调制信号，再通过一个滤波器得到20 GHz的单边带毫米波，还得到了不同载波边带比(CSR)情况下的毫米波眼图。通过实验分析不同载波边带比对传输性能的影响，发现载波边带比为0 dB时，传输性能最佳。
光纤光学 光纤无线通信 载波边带比 单边带调制 光毫米波
