原子层淀积(ALD)是一种先进的纳米级薄膜生长技术，在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景，尤其在提高太阳电池的光电转换效率方面正发挥越来越大的作用，很可能成为下一代太阳电池工艺中的重要方法。文章综述了近年来ALD技术在太阳电池领域的应用研究进展，详细介绍了ALD技术应用在不同类型太阳电池的最新研究成果和存在的问题，并对其发展趋势进行了展望。

研究了原子层沉积制备氧化铝薄膜的光学性能。以三甲基铝(TMA)和水为前聚体,分别在基板温度为250 ℃和300 ℃的K9和石英玻璃衬底上沉积了Al₂O₃光学薄膜。采用分光光度计,X射线光电子能谱(XPS),X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM),扫描电子显微镜(SEM)等分析手段对薄膜的微结构、表面形貌和光学特性进行了研究。结果表明,原子层沉积法制备的Al₂O₃薄膜在退火前后均呈现无定形结构,元素成分接近化学计量比,其表面粗糙度小于1.2 nm,聚集密度高于0.97,光学非均匀性优于1%。同时在中紫外到近红外均有很好的光学性能,适合作为中间折射率和低折射率材料在光学薄膜中得到应用。