传统的ABC模型主要用于研究InGaN量子阱中载流子的复合动态过程。使用传统的ABC模型计算载流子的复合速率和复合寿命，研究不同发光波长InGaN基LED的3 dB调制带宽与载流子复合机制的关系。计算分析结果表明，在相同的注入电流下，随着有效有源区厚度和量子阱层厚度的减小，400 nm近紫外、455 nm蓝光以及525 nm绿光三种发光波长LED的3 dB调制带宽均明显增大；在100 A/cm²的注入电流密度下，400，455，525 nm三种发光波长LED的3 dB调制带宽分别为62，88，376 MHz；在相同的电流密度下，LED的3 dB调制带宽随着In组分（In元素的原子数分数占In元素与Ga元素的原子数分数总和的比）的增加而增大；由于525 nm波长LED的In组分高，有效有源区厚度薄，所以源区载流子浓度高，在大电流密度下525 nm绿光LED的3 dB调制带宽达到376 MHz。

为提高InSb红外探测器室温下的工作性能, 设计了GaSb/InSb/InP异质结构, 并对结构中俄歇复合与肖克莱-瑞德复合两种复合机制对漏电流的影响进行研究。利用TCAD仿真工具对InSb探测器件进行建模, 分析得到能带结构与载流子分布。以能带参数为基础, 根据连续性方程, 结合漂移扩散模型, 分析了俄歇复合在反偏压下的衰减效应, 并综合肖克莱-瑞德复合的影响, 计算出不同缺陷浓度下器件的漏电流。利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术制备GaSb/InSb/InP异质外延样品, 对其漏电流进行测试, 并与仿真结果进行对比分析。实验结果表明, 计算结果与实验结果一致, 器件工作性能的主要限制为肖克莱-瑞德复合机制, 器件的漏电流为0.26 A·cm-2, 品质因子R0A为0.1 Ω·cm2。相比于同质InSb结构, 器件的R0A提高了一个数量级, 已接近实用化水平。

通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构, 研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响。结果显示, 由于窄量子阱LED的载流子空间波函数重叠几率更高, 且电子泄露效应更显著, 所以复合速率更快, 调制带宽更高。In组分为1%的InGaN量子垒LED可提高辐射复合的权重, 使得调制带宽高于GaN量子垒LED; In组分为5%时, 电子泄露和俄歇复合占据主导地位, 且由于这两种复合机制复合速率很快, 所以调制带宽显著提高。

根据全相对论多组态方法,采用GRASP2程序,系统计算了类铍离子等电子序列(Z=21～92)禁戒跃迁(1s22pnd)1(n=3～4)-(1s22p3??Ad-G??)0的能级间隔、自发跃迁系数和加权振子强度.结果表明:高离化度(q≥51)离子激发态禁戒跃迁的跃迁几率与中性原子的电偶极E1的跃迁几率相当.在ICF和MCF高温激光等离子体中,其跃迁过程不容忽视.同时,对在双电子复合机制下实现粒子数反转的X射线激光工作物质进行了初步探讨.