采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在GaAs(001)衬底上制备GaSb量子点, 研究了反应室压强对改善GaSb/GaAs量子点形貌各向异性的影响。通过Sb表面处理方法, 在GaAs衬底上形成低表面能的Sb-Sb浮层, 实现以界面失配(IMF)生长模式对GaSb量子点诱导生长。用原子力显微镜(AFM)对各样品的量子点形貌进行了表征, 结果表明GaSb量子点形貌各向异性明显且沿［110］方向拉长。在压强条件为10 kPa时, IMF生长模式导致不对称岛的长宽比大于3, 由于低能量(111)侧面的存在, GaSb量子点优先沿［110］方向生长而不是与之垂直的［110］方向。压强降低至4 kPa时量子点密度增大为8.3×109 cm-2, 量子点形貌转变为对称的半球形且长宽比约为1。低的压强降低了吸附原子的扩散激活能从而增大了扩散长度, 可以有效改善GaSb量子点的各向异性。

为提高InSb红外探测器室温下的工作性能, 设计了GaSb/InSb/InP异质结构, 并对结构中俄歇复合与肖克莱-瑞德复合两种复合机制对漏电流的影响进行研究。利用TCAD仿真工具对InSb探测器件进行建模, 分析得到能带结构与载流子分布。以能带参数为基础, 根据连续性方程, 结合漂移扩散模型, 分析了俄歇复合在反偏压下的衰减效应, 并综合肖克莱-瑞德复合的影响, 计算出不同缺陷浓度下器件的漏电流。利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术制备GaSb/InSb/InP异质外延样品, 对其漏电流进行测试, 并与仿真结果进行对比分析。实验结果表明, 计算结果与实验结果一致, 器件工作性能的主要限制为肖克莱-瑞德复合机制, 器件的漏电流为0.26 A·cm-2, 品质因子R0A为0.1 Ω·cm2。相比于同质InSb结构, 器件的R0A提高了一个数量级, 已接近实用化水平。

通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备，在c-Al2O3衬底上生长本征和 Cu掺杂ZnO(ZnO∶Cu)薄膜。X射线衍射(XRD)谱观察到未掺杂的ZnO和ZnO∶Cu样品都呈现出较好的c轴择优取向生长。X射线光电子能谱(XPS)表明Cu已掺入到ZnO薄膜中。利用光致发光(PL)测试对本征ZnO和ZnO∶Cu进行室温和低温PL测试，在ZnO∶Cu样品的低温PL谱中观察到一个强度很强、范围很广的蓝紫光发射峰(Blue-violet发射峰，BV发射峰)，范围在2.8~3.3 eV之间，又进一步通过变温PL测试发现随着温度的升高，BV发射峰峰位发生红移，且80 K时BV发射峰高能边出现自由电子向受主能级(eA0)的跃迁发光，并计算了Cu受主离化能。