采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)技术在GaAs(001)衬底上制备GaSb量子点, 研究了反应室压强对改善GaSb/GaAs量子点形貌各向异性的影响。通过Sb表面处理方法, 在GaAs衬底上形成低表面能的Sb-Sb浮层, 实现以界面失配(IMF)生长模式对GaSb量子点诱导生长。用原子力显微镜(AFM)对各样品的量子点形貌进行了表征, 结果表明GaSb量子点形貌各向异性明显且沿［110］方向拉长。在压强条件为10 kPa时, IMF生长模式导致不对称岛的长宽比大于3, 由于低能量(111)侧面的存在, GaSb量子点优先沿［110］方向生长而不是与之垂直的［110］方向。压强降低至4 kPa时量子点密度增大为8.3×109 cm-2, 量子点形貌转变为对称的半球形且长宽比约为1。低的压强降低了吸附原子的扩散激活能从而增大了扩散长度, 可以有效改善GaSb量子点的各向异性。