作者单位
摘要
1 华南农业大学工程学院,广州 510640
2 华南理工大学,广东省燃料电池技术重点实验室,广州 510640
3 广东贝源检测技术股份有限公司,广州 510663
直接碳固体氧化物燃料电池(DC-SOFC)银基阳极具有高化学稳定性和抗硫抗积碳性能,然而受制于较差的催化性能,使得DC-SOFC的电化学性能一直无法让人满意。锶钴掺杂铁酸镧(LSCF)是一种催化性能佳,且兼具电子电导和离子电导的电极材料。通过LSCF修饰DC-SOFC的银基阳极(银-钆掺杂的氧化铈,Ag-GDC),显著提高了银基阳极的催化性能和相应的电池输出性能。在850 ℃,对应的DC-SOFC的最大功率密度由224 mW/cm2提高264 mW/cm2。相应的半电池阻抗谱、电极材料的微观形貌和晶型结构、与恒电流放电测试表明,在LSCF修饰后,Ag-GDC的极化阻抗由0.543 Ω·cm2降低至 0.373 Ω·cm2,电极的微观形貌和晶型结构稳定,对应电池的燃料利用率由51.3%提升至57.9%。因此,LSCF修饰的Ag-GDC是一种性能良好且化学稳定的DC-SOFC理想阳极材料,有望推动DC-SOFC技术的进一步发展。
固体氧化物燃料电池 直接碳燃料电池 银基阳极 锶钴掺杂铁酸镧 复合阳极 solid oxide fuel cell direct carbon fuel cell silver anode strontium cobalt doped lanthanum ferrite composed anode 
硅酸盐学报
2022, 50(5): 1241
段良飞 1,*段瑜 1,2王光华 1,2张筱丹 1,2[ ... ]季华夏 1
作者单位
摘要
1 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司, 云南 昆明 650223
2 昆明物理研究所, 云南 昆明 650223
顶发光 OLED器件是有机光电显示领域的重要组成部分, 其阳极结构及性能对 OLED器件的性能具有至关重要的影响。本文介绍了近年来顶发光 OLED器件阳极的结构、材料及性能改善等领域的研究进展。结合顶发光 OLED器件阳极的工作原理和器件质量要求, 设计了不同结构的顶发光 OLED器件复合阳极, 并采用 TFCalc光学模拟软件和 SimOLED模拟软件对不同结构复合阳极的光学性能及其器件性能进行模拟分析, 获得了较优的顶发光 OLED复合阳极结构, 其结构为 Al/ITO/MoO3, Al/Co/MoO3, Al/Ni/MoO3, Al/MoO3。
顶发光 复合阳极 模拟 Top-emitting OLED OLED Composite anode Simulation 
红外技术
2017, 39(5): O482.3
作者单位
摘要
1 陕西科技大学1.材料科学与工程学院
2 陕西科技大学2.电气与信息工程学院, 西安710021
制作了一种以Al为金属反射膜和金属半透膜的微腔有机电致发光器件(OLED)。器件结构是:Al/MoO3/NPB/ADN∶TBPe∶DCJTB/Alq3/LiF/Al。设计了五种厚度的金属Al阳极半透膜器件, Al半透膜的厚度依次为:12nm, 13nm, 14nm, 15nm, 16nm。通过调节阳极Al半透膜的厚度, 改变微腔的光学长度, 研究微腔效应对器件性能的影响。利用Al半透膜阳极厚度的变化, 调整微腔器件的光学长度, 发光效率和色纯度也随之变化。当Al半透膜为12nm时, 器件在11V获得最高亮度3381cd/m2, 最高效率为2.01cd/A, 色坐标为(0.33,0.39)。实验表明, 合理利用微腔效应, 可提高以Al为阳极器件的色纯度, 并保持一定的发光效率。
有机电致发光器件 复合阳极 色坐标 微腔器件 organic lightemitting diode composite anode color coordinate microcavities device 
半导体光电
2012, 33(2): 171
作者单位
摘要
1 陕西科技大学 材料科学与工程学院,西安 710021
2 西安高技术研究所,西安 710025
制备了以Al /MoO3为复合阳极的有机电致发光器件,其结构为:Al/MoO3/NPB/Alq3∶C545T(x%)/Alq3/LiF/Al。比较了不同掺杂浓度条件下OLED器件的电致发光特性。当C545T掺杂浓度为8%时,主客体间的能量转移最充分,器件的启亮电压为2.75V,器件在13V时获得最高亮度为27000cd/m2,发光效率为6.97cd/A。用FowlerNordheim隧道效应理论和载流子注入机制,分析了以Al /MoO3为复合阳极的OLED器件性能。
有机电致发光器件 复合阳极 掺杂 organic lightemitting diode composite anode doping 
半导体光电
2011, 32(6): 797

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