采用蒸镀法，分别通过单次蒸Na 和多次蒸Na 两种工艺制备了一系列未经激活的Na2KSb 基底层，并通过3 种不同的Cs-O 激活方式对其进行表面激活，然后分别与未激活、仅Cs 激活以及传统Cs-Sb 激活的样品进行对比。积分灵敏度和光谱响应曲线测试结果表明，与未激活的Na2KSb 光电阴极相比，所有经过Cs-O 激活的光电阴极的灵敏度和长波阈值都得到了一定程度的提高和拓展，而且采用单次蒸Na 工艺制作样品的积分灵敏度明显高于多次蒸Na 工艺。对于单次蒸Na 工艺制备的光电阴极，采用Cs-O＋Cs-Sb 激活能够获得较高的灵敏度和较宽的光谱响应范围。在该条件下，Cs-O 激活次数存在一个最佳值，当单次蒸O 量为50%时，Cs-O 激活最佳次数为2 次，此时样品的积分灵敏度与未激活的Na2KSb 光电阴极相比提高了45.9 倍，长波阈值向长波方向拓展了231 nm，逸出功降低了0.46 eV，而且工作寿命和EBI（Equivalent background illumination）测试结果表明该样品具有比传统Cs-Sb 更好的稳定性和更低的背景噪声。逸出功计算结果表明，表面激活以后样品长波阈值的拓展可以归因于阴极材料逸出功的降低。

4×4矩阵阳极微通道板光电倍增管由金属陶瓷管壳、多碱光电阴极、“V”型微通道板和4×4矩阵阳极构成, 电子光学系统为双近贴聚焦结构, 光谱响应范围为400～900 nm, 暗电流小于0.5 nA, 脉冲上升时间小于1 ns, 最大脉冲线性电流大于10 mA, 具有位置分辨和多路探测的功能。

针对多碱光电阴极进行了理论建模和性能模拟，采用层状模型：Na2KSb+K2CsSb+Sb·Cs偶极层，讨论了各层厚度、掺杂离子浓度对多碱阴极能带以及光谱响应特性的影响，结果显示表面K2CsSb和Sb·Cs两层的n型掺杂较高时，能够有效降低表面亲和势，有利于光电子的输运以及逸出。Na2KSb的掺杂离子浓度并非越高越好，主要原因是掺杂离子浓度影响着内建电场强度与范围，内建电场增大使电子扩散距离增加，有更高的几率到达阴极表面，在掺杂离子浓度为1016 cm-3左右时可获得最高灵敏度。分析了厚度对阴极灵敏度的影响，对于特定波长入射光，存在最佳厚度使对应波长的灵敏度最高，且由于内建电场的影响，不同掺杂离子浓度会使最佳厚度有所不同，当内建电场较强时，阴极的最佳厚度增大。对700 nm入射光，在掺杂离子浓度为1017 cm-3以及1016 cm-3时，最佳厚度分别为80 nm和200 nm。

利用785 nm波长激光作为激发源，测量了超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的荧光谱.试验中发现该荧光谱不是一条光滑的高斯型曲线，而是一条在高斯型荧光谱上叠加了一定频率间隔小锯齿峰的曲线.经实验验证和理论分析证明该荧光谱上的小锯齿峰是一种干涉条纹，与超二代微光像增强器的结构有关.干涉条纹之间的间距与相邻两干涉峰波长的乘积成正比，与超二代微光像增强器的近贴聚焦距离成反比.干涉条纹调制度大小与Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的厚度成反比.通过测量超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极荧光谱上两相邻干涉条纹的间距和调制度，就可以测量或比较出不同超二代微光像增强器Na2KSb(Cs)多碱光电阴极的膜厚、近贴聚焦距离.研究结果对提高超二代微光像增强器阴极灵敏度和分辨力提供了一个有效的分析手段.

介绍了最新研制的25/25XZ3W型门选通微通道板像增强管.详细论述了该器件的工作原理、门选通结构、关键工艺以及器件的性能参数等问题.

介绍了一个目前国内外公开文献报导中输出电流最大、电流增益最高且具有门控选通功能的微通道板光电倍增管,该管采用了大直径输入窗、多碱光电阴极、三块微通道板作倍增极的近贴聚焦结构.

研究了多碱光电阴极光谱响应峰值位置移动技术。利用多碱光电阴极多信息量测控技术,可以控制光电阴极光谱响应峰值位置,以满足不同性能光电管光谱匹配的需要。对夜天光辐射以及一些材料的光谱反射,利用多信息量测控技术,可以将多碱光电阴极的光谱响应峰值移至0.8μm处。