1 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
2 太原理工大学 理学院物理系, 太原 030024
通过optiFDTD模拟软件对二维椭圆柱构造的正方格子光子晶体的禁带特性进行了数值模拟。分别研究了在空气中椭圆介质(Ge,Si,GaAs)柱和在介质(Ge,Si,GaAs)中椭圆空气柱构造的二维正方格子光子晶体中椭圆柱的横轴半径和纵轴半径的大小,以及椭圆柱的不同旋转角度对光子禁带的影响; 并计算出了在上述两种情况下的空气和介质中的最优结构参数。
二维光子晶体 完全禁带 有限时域差分法 two-dimensional photonic crystal complete band gap the finite-difference time-domain(FDTD)
华南师范大学信息光电子科技学院光子信息技术广东省高校重点实验室, 广东 广州 510006
提出了一种新颖的制作二维光子晶体全光开关的方法。光子晶体波导通过往二维六角形分布的光子晶体的空气孔中填充偶氮苯掺杂液晶得到。数值模拟结果表明，通过外界光场控制空气孔中所填充的向列液晶的方向可以对光子晶体的方向能隙进行调节，这种可调节性可用于制作全光开关。与电场调制方法相比，该光控液晶取向技术具有响应速度快、结构简单的优点。
光子晶体 液晶 平面波展开法 完全禁带 全光开关
因各向同性介质组成的正方晶格方形介质柱不能产生绝对带隙,而三角晶格正方介质柱可以产生很小的带隙,为了得到更大带隙,引入各向异性介质来代替各向同性介质,由于各向异性介质在不同方向上的介电常数不同,可以产生较大的绝对带隙,利用平面波展开法分别计算了正方晶格各向异性介质柱产生的绝对带隙宽度为0.03095ωe(ωe为中心频率),三角晶格各向异性正方介质柱产生的完全禁带宽度为0.03831ωe,是各向同性介质所产生带宽的3.6倍。这一结果对光子晶体带隙的研究是很有帮助的。
材料 光电子学 完全禁带 平面波展开法 各向异性 各向同性 materials optoelectronics absolute band gap plane wave expansion method anisotropic isotropic
1 江苏工业学院信息科学系,江苏,常州,213016
2 华中科技大学物理系,湖北,武汉,430073
3 临沂师范学院物理系,山东,临沂,276400
以简单二维正方排列的光子品体为例,计算分析了完全禁带随介质填充率和介质折射率比变化出现的条件和规律,结果显示对两者同时进行调谐是获取完全禁带的最佳途径,选取晶格常数为0.7 μm,介质填充率0.5,介质折射率比为4时,在光子晶体中引人线缺陷后,对处于完全禁带中的波长为1.55μm的光显示良好的导波特性.
光子晶体 完全禁带 导波
