西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室, 陕西 西安 710072
采用射频反应磁控溅射方法在硅衬底制备了HfSixOy薄膜，用X射线光电子能谱(XPS)分析了HfSixOy薄膜的成分，用X射线衍射(XRD)检测了薄膜的结构, 并用椭圆偏振光谱仪研究了退火处理对薄膜光学性质的影响。XRD谱显示,HfSixOy薄膜经700 ℃高温退火处理后仍为非晶态，而在900 ℃高温退火处理后出现晶化。采用Tauc-Lorentz (TL)色散模型对测试得到的曲线进行拟合并分析得出薄膜的光学常数，结果表明，薄膜的折射率随退火温度的升高而增加，而消光系数随退火温度的升高呈降低趋势。薄膜的光学带隙随着退火温度的升高增加，采用外推法得到薄膜沉积态和经500 ℃，700 ℃，900 ℃退火后的带隙分别为5.62，5.65，5.68，5.98 eV。
薄膜 HfSixOy薄膜 光学特性 椭圆偏振光谱仪 退火 射频反应磁控溅射
1 西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室, 四川 成都 610031
2 School of Materials Science and Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW 2052, Australia
用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜, 通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱等研究了溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。测量结果显示, 所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构, 具有沿c轴的择优取向; 溅射压强P=0.6 Pa, 氩氧比Ar/O2=20/5.5 sccm时, (002)晶面衍射峰强度和平均晶粒尺寸较大, (O02)XRD峰半峰全宽(FWHM)最小, 光致发光紫外峰强度最强。
ZnO薄膜 射频反应磁控溅射 溅射压强 氩氧比 光致发光 ZnO films RF reactive magnetron sputtering sputtering pressure argon-oxygen ratio photoluminescence
浙江大学 硅材料国家重点实验室， 浙江 杭州 310027
采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明，退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结果表明：退火后薄膜的电学性能明显改善，得到了p-ZnO薄膜，退火温度为450 ℃时取得最佳电学性能：室温电阻率为139.2 Ω·cm，迁移率为0.2 cm2·V-1·s-1，空穴浓度为2.5×1017 cm-3。XPS分析表明：Na掺入ZnO中作为受主NaZn而存在，N主要以N—H键的形式存在，其受主NO的作用不明显，但是否存在NaZn-NO受主复合体，还需进一步的研究。
射频反应磁控溅射 Na-N共掺 p型ZnO薄膜 退火 RF reactive magnetron sputtering Na-N co-doping p-type ZnO films post-annealing
