1 上海大学 理学院物理系, 上海, 200444
2 中科院 上海微系统与信息技术研究所新能源技术中心, 上海, 201800
采用射频磁控溅射方法, 分别在0.5 Pa, 1.0 Pa, 1.5 Pa以及2.0 Pa的溅射压强下制备出了Sc:ZnO(SZO)薄膜, 并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计等设备对样品的晶体结构、表面形貌及光学性质进行了表征。结果表明, 当溅射压强为1.5 Pa时, SZO薄膜沿平行于衬底的(100)方向择优生长, 形成了织构化的表面形貌, 陷光效果增强, 可见光透过率达到87%, 同时其光散射能力也有了显著提高。
SZO薄膜 溅射压强 绒面结构 光学性质 SZO thin films deposition temperature textured structure optical properties
用直流磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出了铝钛共掺杂氧化锌(TAZO)透明导电薄膜，研究了溅射压强对TAZO薄膜的微观结构和光电特性的影响。研究结果表明，所制备的TAZO 薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜，且具有c轴择优取向。当溅射压强为7.5 Pa时，薄膜的最小电阻率为3.34×10-4 Ω·cm。薄膜的可见光区平均透过率大于89%。溅射压强对薄膜的电阻率和微观结构有显著影响。
TAZO薄膜 透明导电薄膜 溅射压强 磁控溅射 Al-Ti co-doped zinc oxide films transparent conducting films sputtering pressures magnetron sputtering
利用直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出了透过率高、电阻率较低的钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜(TGZO)。研究了溅射压强对TGZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响。研究结果表明，溅射压强对TGZO薄膜的结构和电阻率有重要影响。X射线衍射(XRD)表明，TGZO薄膜为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜。薄膜的电阻率具有随着溅射压强的增大先减小，后增大的规律，在溅射压强为11 Pa时，实验获得的TGZO薄膜晶格畸变最小，电阻率具有最小值1.48×10-4 Ω·cm，透过率具有最大值94.3%。实验制备的TGZO薄膜附着性能良好，在400～760 nm波长范围内的平均透过率都高于90%。
TGZO薄膜 透明导电薄膜 溅射压强 磁控溅射 Ti Ga co-doped zinc oxide films transparent conducting films sputtering pressure magnetron sputtering
1 西南交通大学超导研究开发中心材料先进技术教育部重点实验室, 四川 成都 610031
2 School of Materials Science and Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW 2052, Australia
用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜, 通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)谱等研究了溅射压强和氩氧比对ZnO薄膜结构和光学性质的影响。测量结果显示, 所制备的ZnO薄膜为六角纤锌矿结构, 具有沿c轴的择优取向; 溅射压强P=0.6 Pa, 氩氧比Ar/O2=20/5.5 sccm时, (002)晶面衍射峰强度和平均晶粒尺寸较大, (O02)XRD峰半峰全宽(FWHM)最小, 光致发光紫外峰强度最强。
ZnO薄膜 射频反应磁控溅射 溅射压强 氩氧比 光致发光 ZnO films RF reactive magnetron sputtering sputtering pressure argon-oxygen ratio photoluminescence
