1 同济大学高等研究院物理科学与工程学院,先进微结构材料教育部重点实验室, 上海 200092
2 同济大学化学科学与工程学院, 上海 200092
3 上海蓝宝石晶体工程研究中心, 上海 200092
采用浮区法(FZ)生长Ge掺杂β-Ga2O3晶体, 利用XRD和Raman光谱研究了掺杂对晶体结构的影响。透射光谱测试表明, 随着Ge离子掺杂浓度增加, Ge∶β-Ga2O3晶体光学带隙增大。在4.67 eV紫外光激发下, Ge∶β-Ga2O3晶体的发光强度与β-Ga2O3晶体相当, 发光衰减时间比β-Ga2O3晶体更快。
氧化镓 Ge掺杂 发光性能 快衰减 gallium oxide Ge-doped luminescence property fast decay
