1 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071
2 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
利用光致发光技术对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延未故意掺杂的GaN进行发光特性的研究,发现在室温下有很强的黄光输出,同时,采用扫描电子显微术和X光衍射对样品的表面形貌和结构进行了研究,结果发现,随着缺陷密度的减少,黄光输出强度也有所降低,因此,黄光输出强度与缺陷有很大的关系.
异质外延 光致发光 扫描电子显微术 X光衍射 GaN
采用扫描电子显微镜中的阴极发光显微术获得了YAG:Nd~(3+)激光晶体中不同缺陷所形成的显微发光图象。据此进一步分析了这些缺陷的形成机制及其对材料性能的影响。
阴极发光显微术 晶体缺陷 YAG:Nd~（3+）晶体 扫描电子显微术
