宁波大学光电子功能材料重点实验室,宁波,315211
通过选择合适的化学原料(Li2O:48.6mol%, Nb2O5:51.4mol%)、控制生长速度(<3 mm/h)及固液界面的温度梯度(20～40℃/cm)与温场,用坩埚下降法成功地生长出了Zn、Cr双掺杂初始浓度分别为3 mol%、0.1 mol%,以及6 mol%、0.1 mol%的大尺寸铌酸锂晶体.生长的晶体无宏观缺陷,在He-Ne激光的照射下,无散射中心.测定了晶体的宽带荧光光谱(700～1200 nm)及R带(710～740 nm)的精细变温光谱.这些R带的光谱线由Cr离子所取代的Li(Cr3+Li)与Nb(Cr3+Nb)的发光中心以及声子辅助吸收所致.
锌、铬双掺杂铌酸锂晶体 坩埚下降法 光谱 Zn Cr-doped LiNbO_3 crystal Bridgman method Optical spectra
中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800
提出了一种在双掺杂铌酸锂晶体中用调制的双紫外光进行非挥发全息记录的方法。与通常的用紫外光敏化的非挥发全息记录相比,这种方法可以大幅度地提高光栅强度和记录灵敏度。联立双中心物质方程和双光束耦合波方程,数值分析了光栅强度和衍射效率随时间的变化并讨论了掺杂浓度和记录光强对紫外光非挥发全息记录机制下光折变效应的影响。研究发现,紫外光记录得到的深浅中心的光栅具有相同的相位,总的光栅(深浅中心光栅的叠加)强度为两光栅强度之和,固定过程中深中心的光栅得到增强;增大深浅中心掺杂的浓度可以提高光栅强度,增大记录紫外光的光强可以增加光栅的强度和记录灵敏度。理论模拟可以证实并预测实验结果。
全息 非挥发全息记录 紫外光记录 双掺杂铌酸锂晶体 灵敏度
1 北京建筑工程学院物理教研室, 北京 100044
2 南开大学物理系, 天津 300071
研究了温度对掺杂铌酸锂晶体位相共轭的影响.实验表明,温度是提高位相共轭波前反射率的一种有效途径.并用全息光栅理论对此作了解释.
位相共轭 掺杂铌酸锂晶体 光折变 全息光栅
