针对MEMS单刀多掷(SPMT)开关插入损耗及隔离度较差的问题，设计了一种基于雪花型功分器的单刀五掷(SP5T)MEMS开关，通过雪花型功分器实现信号的均衡分配和低损耗传输。通过设计H形上电极结构，有效减小开关弱接触，增强开关接触稳定性，实现信号的高隔离。采用HFSS仿真软件，对开关的插入损耗、隔离、驱动电压和应力分布进行了设计，并结合COMSOL软件对开关进行了机械性能分析。结果表明，在1~20 GHz频段内，五个端口插入损耗在02 dB@20 GHz以下，隔离度在23 dB @20 GHz以上，驱动电压为24 V。这些指标均优于常规SPMT开关。该SP5T MEMS开关可应用于多任务、多通道可调谐器件中，在无线通信、微波测试系统中具有应用价值。

该文介绍了一种单端口、端口阻抗50 Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器, 其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式。对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明。测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2 399~2 412 MHz, 陷波抑制达35 dBc; 通带频率分别为1 800~2 300 MHz和2 500~2 800 MHz, 通带插损仅1 dB; 3 dBc开口宽度为69 MHz。FBAR陷波器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm×0.35 mm。结果表明, 陷波器实测与仿真结果两者相吻合。

采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜; 采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜; 采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析, 结果表明, 复合AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面及Au薄膜(111)面择优取向优良, 说明选用Al/Cr/AlN/Au/Cr/YAG复合结构压电薄膜能研制出Ku波段及K波段声体波微波延迟线(BAWDL), 其Ku及K波段BAWDL器件插入损耗分别低至43.7 dB、54.6 dB。

光学波束形成网络相对于传统电学波束形成网络具有带宽大、传输损耗小、抗电磁干扰等特性。国内在多通道射频信号输入情况下,基于色散光纤体制的光学波束形成网络的插损变化规律研究较少。假设光子探测器达到饱和阈值的前提下,分别计算了单通道微波光子链路与双通道光学波束形成网络的插损。推导得到,随着输入射频通道数的成倍增加,采用色散光纤体制的光学波束形成网络的插损也成倍增加。搭建了实验系统,发现当输入射频通道数为2、4、8、16时,对应插损分别为-26.0 dB、-30.8 dB、-34.3 dB、-46.0 dB。

基于无线局域网(WLAN)的应用背景，设计并加工了一款用于WLAN的双频滤波器。滤波器的主体部分采用两阶的阶跃阻抗滤波器(SIR)，馈电方式采用0?平行耦合线馈电方式。测试结果跟仿真结果有很好的一致性，滤波器在两谐振频点2.4 GHz和5.2 GHz处的插入损耗为0.85 dB和1.3 dB。在上述平面滤波器的基础上，进一步分析了圆柱共形对SIR结构谐振特性的影响，利用共形器件的仿真与实际加工装配相一致的准确建模方法，设计了一款圆柱共形双频滤波器，其有更好的赋形性能和选择性。该设计可用于共形通信系统中，具有广阔的应用前景。

采用滤波器综合分析方法, 基于分立式AlGaAs/GaAs异质结PIN二极管, 根据其等效寄生参数, 综合出单刀二掷开关集**数滤波器模型, 以此分析其等效分布参数电路, 设计出了118 GHz星载辐射计用单刀二掷开关准单片, 开关电路尺寸6×2.5×0.1 mm3.通过开关模块封装用波导-微带过渡和键合金带插损的分析研究, 研制出了低插损的118 GHz开关模块, 在110~120 GHz, 测得开关插损小于3.0 dB, 插损典型值2.6 dB；开关隔离度大于22 dB；开关响应时间、导通时间、关断时间、恢复时间分别小于18 ns、20 ns、10 ns、18 ns, 该准单片作为通道切换开关可集成应用于118 GHz收发组件中.

文章采用91 μm厚的石英半波片来降低器件的PDFS (偏振相关频率漂移)，在放置半波片位置采用优化的楔形波导结构，将插入半波片带来的附加损耗降至0.41 dB。并通过广角三维光束传输法，对DQPSK(差分正交相移键控)解调器在C波段进行了仿真。结果表明：采用这种结构设计出的器件具有低插损值和高消光比。

提出了一种用于高温超导系统的新型星载光控高温超导微波可变衰减器,详细介绍了设计过程,并针对测试结果进行了分析.该衰减器的实质是利用液氮温区高温超导薄膜极低的微波表面电阻和卓越的激光响应特性,实现优良的衰减功能.在器件结构的设计上引入过渡材料和透明有机材料以保证器件良好的接地性能以及激光光束的对准.主要结论如下:光控高温超导微波可变衰减器在液氮温区工作,电路尺寸为12 mm×8 mm×0.5 mm,可单独使用也可集成于高温超导系统中,可大幅减小系统的体积与质量;高温超导衰减器的插损小于0.2 dB,比常规衰减器低1个量级;高温超导衰减器的可变衰减步进值小于0.01 dB,比常规衰减器低1～2个量级.根据激光功率大小对衰减器插损变化特性的影响,该衰减器也可以实现步进式调谐.

从高斯光束的传输理论出发,对8×8 MOEMS阵列光开关的光路进行了分析.这种光开关的反射镜尺寸与插入损耗(简称插损)密切相关.为了降低插损并且达到准直长度的要求,对相关参数进行了优化选择.此外,开关中光纤、球透镜以及微反射镜之间的位置及角度偏移均会使插损大大增加,采用自对准技术和凸角补偿方法可以有效提高各个器件之间的对准效果,降低插损[1].

本文对利用多模干涉(MMI)结构实现解复用器蚀刻衍射光栅(EDG)频谱平坦化的设计方法进行了改进.通过使用预展宽输入结构把带间串扰降到很低值;通过使用抛物线型多模干涉区,把带通纹波减小到接近于零的同时,大大增加了1 dB带宽,最终得到了平坦化效果最佳的设计方法.作为例子,最后给出了两种不同频带间隔下的最优设计尺寸.