Ag基膜系具有在可见到近红外波段最高的反射率，但Ag的环境稳定性较差，易受腐蚀而导致反射率降低。采用离子束辅助电子束蒸发沉积（IAD）方式制备了不同厚度比例的Ta2O5-SiO2纳米胺薄膜，计算出有效折射率和膜层残余应力，选用Ta2O5厚度占比为75%的纳米胺薄膜，进一步设计制备了纳米胺结构保护层Ag基膜系和常规两层式结构保护层Ag基膜系，实现了多波段高反射率目标，并且两种Ag基膜系的残余应力相近。在24 h湿热实验后，纳米胺结构保护层Ag基膜系的反射率红移量小于常规两层式结构保护层Ag基膜系；在144 h湿热实验后，纳米胺结构保护层Ag基膜系表面缺陷腐蚀程度小于常规两层式结构保护层Ag基膜系，结合聚焦离子束制样后利用TEM观察结果，表明纳米胺结构保护层具有更高的致密度，能够为Ag基膜系提供更优良的环境稳定性。

基于双面集成微结构薄片元件在集成光学成像、光束整形等方面的应用日益普及, 针对其中一些一体化、高深宽比结构在制作方面的难点问题, 本文提出一种无基膜支撑、高深宽比的双面集成微结构元件的制作新方法——紫外压印改进技术。通过该方法, 成功地制作了无基膜、高深宽比结构的集成导光板样品; 样品上下表面微结构形貌与金属模具在误差范围内保持一致, 转印复制过程的物理结构形变小, 且样品的厚度整体均匀、平整无翘曲。实验结果表明, 本文提出的紫外压印改进技术方法能有效地制作无基膜支撑、双面集成高深宽比的微结构元件, 可望在集成光学成像及光束整形、匀光、导光、聚光等光学器件制作领域有良好应用。