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相同关键词【无抗蚀膜光化学蚀刻】论文列表

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激光制造

对硅片进行无抗蚀膜光化学蚀刻的一种新方法

杨杰 ^1,*刘焰发 ¹村原正隆 ²

作者单位

摘要

¹ 中山大学超快速激光光谱学国家重点实验室,广东广州,510275

² 东海大学工学部电气工学科,日本,259-1292

研究了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的新方法,使用过氧化氢(H2O2)和氟酸(HF)作为光化学媒质,使用ArF紫外激光作为光源,无需事先加工抗蚀膜,可直接在硅表面进行蚀刻.在H2O2与HF的浓度比为1.3时,蚀刻效果最佳,当激光能量密度为29 mJ/cm2, 照射脉冲数为10000次时,得到210 nm的蚀刻深度.

硅片紫外激光无抗蚀膜光化学蚀刻

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中国激光

2002, 29(3): 286