1 证据科学教育部重点实验室(中国政法大学), 北京 100088
2 中国科学院半导体研究所, 北京 100083
3 北京工业大学电子信息与控制工程学院, 北京 100024
为了提高980 nm半导体激光器的可靠性，采用氦离子注入形成腔面电流非注入区技术制作了4 μm条宽的脊形波导激光器，并利用同一块外延片制作了常规工艺的4 μm脊形波导激光器作为对比。经过长期老化实验得知：常规工艺器件在1500 h前全部失效，而采取新技术的器件寿命超过了3000 h。通过对器件的扫描电镜分析发现，腔面灾变性损伤、铟焊料的质量和腔面污染等因素对器件失效有直接影响。
半导体激光器 氦离子注入 长期老化 失效分析 扫描电镜 激光与光电子学进展
2012, 49(9): 091404
1 中国工程物理研究院 核物理与化学研究所， 四川 绵阳 621900
2 电子科技大学 物理电子学院， 成都 610054
采用热解析法初步研究了铒、钪膜中离子注入氦的热解析行为。研究结果表明：同种元素铒中离子注入氦的热释放峰位相同，但膜的致密性将影响氦的释放量，结构疏松的膜中存在的孔洞是氦的快速释放通道；在相同注入剂量和能量条件下，铒、钪膜中注入氦的热释放峰位不同，这可能与氦在铒、钪膜中的深度分布及膜的致密性有关，利用质子增强背散射法测量出能量为60 keV的4He+在铒、钪膜中的注入深度分别为210,308 nm。
铒膜 钪膜 氦离子注入 热解析 氦泡 erbium film scandium film helium ion implantation thermal desorption helium bubble
