作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院 研究生院,四川 绵阳 621900
2 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,四川 绵阳 621900
为了有效抑制聚四氟乙烯(PTFE)材料表面电荷积聚、进一步提升其沿面耐压性能,采用射频产生氮等离子体对其表面进行等离子体浸没离子注入。注入过程中改变射频功率、脉宽、脉冲幅值等参数实现对PTFE样品表面的不同改性效果。通过测试其注入前后的X射线光电子能谱、表面形貌、表面电阻率、表面电位衰减特性、表面陷阱能级及其密度分布,较为系统地研究了不同注入参数对聚四氟乙烯样品表面成分、表面电荷积聚和消散特性的影响。结果表明:注入过程中,氮离子主要通过自身动能促使聚四氟乙烯材料表面分子结构发生破裂和重组来实现表面改性而并非通过化学反应引入新成分,注入氮离子的动能以及数量是决定表面改性效果的主要因素。随着射频源功率增加,射频源对氮气利用效率得到提升,其处理效果饱和点由100 W射频功率下的20 cm3/min升至400 W射频功率下的30 cm3/min,相应表面电阻率由100 W-10 cm3/min条件下的最大值 $ 3.3\times {10}^{16}\;\mathrm{\Omega }/\mathrm{m}{\mathrm{m}}^{2} $降至400 W-30 cm3/min条件下的最小值 $ 1\times {10}^{15}\;\mathrm{\Omega }/\mathrm{m}{\mathrm{m}}^{2} $,并且表面电荷消散速度由6%增加至68%,同时积聚量最多减少了18.6%。另外,随着外施脉冲电压由3 kV-25 μs升至7 kV-75 μs,表面电阻率最多下降了89%,表面电荷消散速度由4%增加至58%,积聚量最多减少了23.7%。进一步分析表明,经氮离子注入处理的聚四氟乙烯材料表面陷阱能级变浅,加速了表面电荷脱陷,而降低的表面电阻率也促进了脱陷的表面电荷沿面传导,最终使得表面电荷消散加快。
聚四氟乙烯 氮离子注入 表面电荷 积聚消散 表面电阻率 表面陷阱特性 polytetrafluoroethene nitrogen ion implantation surface charge accumulate and dissipate surface resistivity surface trap characteristic 
强激光与粒子束
2022, 34(12): 125001
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900;中国工程物理研究院 研究生院,北京 100088
2 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900
3 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900;哈尔滨工业大学 先进焊接与连接国家重点实验室,哈尔滨 150001
为了抑制聚四氟乙烯材料表面电荷积聚,采用射频产生氮等离子体对其表面进行等离子体浸没离子注入以改善其表面性能。对注入前后的聚四氟乙烯材料样品进行了X射线光电子能谱分析(XPS)、傅里叶红外光谱测试(FTIR)、水接触角测量、表面电阻率测量以及表面电位衰减测量,并基于等温表面电位衰减理论对其表面陷阱能级和密度分布进行了计算,以分析聚四氟乙烯样品经离子注入处理后其表面成分和物理性能的变化,并研究了这些变化对聚四氟乙烯样品表面电荷积聚和消散特性的影响。结果表明:氮离子注入后,聚四氟乙烯材料表面化学成分的主要变化是自身分子结构的破坏和转化,部分CF2结构转变为CF和CF3结构,导致样品表面陷阱能级变浅;水接触角升至140°左右,比未处理样品上升了约27°,表面电阻率降至3×1015 Ω,比未处理样品下降了两个数量级;表面电晕放电1 min后,经氮离子注入处理的聚四氟乙烯材料表面积聚电荷量减少,消散速度加快,这是因为表面陷阱能级变浅有利于表面电荷脱陷,同时表面电阻率降低也促进了表面电荷沿面传导的消散过程,聚四氟乙烯样品表面陷阱能级分布曲线也证实了这一论点。
聚四氟乙烯 氮离子注入 表面电荷 积聚消散 表面电阻率 表面陷阱特性 PTFE nitrogen ion implantation surface charge accumulation and dissipation surface resistivity surface trap characteristics 
强激光与粒子束
2020, 32(7): 075001
作者单位
摘要
湖南科技大学生命科学学院, 湖南 湘潭 411201
以草麻黄为材料, 研究了不同剂量的N+注入对成熟胚诱导愈伤的影响, 并对激素配比进行了优化实验。结果显示: 对于草麻黄成熟胚愈伤诱导及继代培养, 最佳激素配比为2 mg/L 2,4-D+ 2 mg/L 6-BA。剂量为3.0~5.0×1016 ions/cm2的氮离子注入成熟胚后, 其存活率与对照相比显著下降; 2.0×1016 ions/cm2的氮离子注入处理能显著提高愈伤组织的诱导率; 此外, 各继代时段, 1.0~4.0×1016 ions/cm2的4个氮离子注入处理其愈伤组织增长速度均高于对照, 且随着注入剂量的增加而加快。
氮离子注入 草麻黄 愈伤诱导率 愈伤增重倍数 N+ implantation Ephedra sinica Stapf callus-induced rate increased multiples of callus weight 
激光生物学报
2011, 20(3): 329
作者单位
摘要
1 中国科学院大连化学物理研究所, 辽宁 大连 116023
2 中国科学院研究生院, 北京 100039
以紫外线和氮离子注入作为诱变手段对曲酸产生菌黄曲霉CICC 2242进行诱变处理, 筛选出一株高产菌株N83。曲酸产量由初始的12.4 g/L提高到19.4 g/L, 提高了56.5 %; 遗传稳定性实验结果表明, N83遗传性状稳定良好。该结果表明氮离子注入诱变是获得高产曲酸的有效途径。
曲酸 紫外线 氮离子注入 诱变 kojic acid UV radiation N+ implantation mutagenesis 
激光生物学报
2010, 19(4): 542
作者单位
摘要
1 安徽农业大学动物科技学院, 安徽 合肥 230036
2 安徽省乳品工程技术研究中心, 安徽 合肥 230036
采用N+注入技术对实验室保存的4株保加利亚杆菌L601、L602、L603、L606进行诱变处理, 旨在选育出高产血管紧张素转换酶(angiotensin converting enzyme, ACE)抑制剂菌株。结果表明, 在离子注入能量为20 keV, 剂量为3.0×0.5×1015 ions/cm2条件下, 诱变效果较好。从正突变菌株中反复筛选, 获得1株对ACE抑制活性较高的菌株M602, 其ACE抑制率为82.49 %。经过培养条件优化, 其对ACE抑制率进一步提高为85.12 %, 经连续传代实验, 其性状遗传稳定。
保加利亚杆菌 氮离子 Lactobacillus bulgarius N+ ACE ACE 
激光生物学报
2010, 19(3): 391
作者单位
摘要
1 郑州大学河南省离子束生物工程重点实验室,河南,郑州,450052
2 湖南科技大学生命科学院,湖南,湘潭,411201
3 中国科学院等离子体研究所离子束生物工程学重点实验室,安徽,合肥,230031
利用3份二倍体水稻为材料,以氮离子束为诱变源,研究了离子注入后所引起的生物学效应和离子注入对水稻多倍化的效果.研究结果表明,氮离子束对3份二倍体水稻材料的效应因材料种类和离子注入剂量不同而异.N+注入处理后对利用秋水仙素诱导水稻多倍化的效果比较明显,但效果的明显程度则因离子注入剂量不同或秋水仙素诱导时间不同或试验材料的遗传背景不同而表现出一定的差异.在秋水仙素对试验材料的诱导时间为24 h的各个处理中,N+离子注入剂量为6.76×1016N+/cm2的处理似乎更好,而在秋水仙素对试验材料的诱导时间为48 h的各个处理中,N+离子注入剂量为0.52×1016N+/cm2的处理则更有利于获得同源四倍体材料.经过2个~3个世代的筛选之后并通过染色体核型分析,在试验材料的后代中已经获得了一些同源四倍体水稻材料.
??/strong>氮离子注入 秋水仙素 同源四倍体水稻 诱导效果 
激光生物学报
2006, 15(2): 118
作者单位
摘要
安徽农业大学生命科学学院,中国,安徽,合肥,230036
本实验采用低能氮离子注入技术对枯草芽孢杆菌(Bacillus subtilis)进行辐照诱变处理,选育出一株SOD高产菌株(编号为BsB8).其生物量略高于出发菌株、SOD产量达3439.3 U/g湿菌体,为实验出发菌的1.88倍.该菌株最佳产酶条件为:起始pH为8.2,装液量为150ml/500ml,接种量为1.5%;添加Mn2+的培养基可显著提高SOD酶活.
枯草杆菌 氮离子注入 产酶条件 Bactillus subtilis ion beam implantation superoxid SOD 
激光生物学报
2005, 14(3): 173
作者单位
摘要
1 湛江师范学院,物理系,广东,湛江,524048
2 兰州大学,物理系,甘肃,兰州,730000
3 北京航空航天大学,理学院,北京100083
用射频等离子体方法在玻璃基底上制备的类金刚石(DLC)薄膜,采用离子注入法掺氮,并对掺氮DLC薄膜紫外(UV)辐照前后的性能变化进行了研究.研究结果表明:随氮离子注入剂量及UV辐照时间的增加,位于2 930cm-1附近的SP3C-H吸收峰明显变小,而位于1 580cm-1附近的SP2C-H吸收峰则明显增强,薄膜的电阻率明显呈下降趋势;随UV辐照时间的增加,位于1 078cm-1附近的Si-O-Si键数量及位于786cm-1附近的Si-C键数量明显增加.即氮离子注入和UV辐照明显改变了DLC薄膜的结构与特性.
类金刚石薄膜 氮离子注入 UV辐照 Raman与红外光谱 结构与特性 Diamond-like carbon films N ions implantation UV irradiation IR and Raman spectroscopy structure and properties 
强激光与粒子束
2004, 16(3): 372
作者单位
摘要
1 中科院离子束生物工程学重点实验室,等离子体物理研究所,中国安徽,合肥,230031
2 安徽丰乐种业农业科学技术学院,中国安徽,合肥,230031
3 中科院离子束生物工程学重点实?槭?等离子体物理研究所,中国安徽,合肥,230031
本文研究了用25keV N+注入丰豆103的种子后,N+离子对其种子的活力及子叶伸展后48小时和96小时的幼苗内蛋白质含量、谷胱甘肽巯基转移酶(GSH-Ts)、谷胱甘肽过氧化酶(GSH-Px)、抗坏血酸过氧化物酶(ASA-POD)活性的影响.结果表明:当N+注量在2.6×1016N+/cm2~5.2×1016N+/cm2时,种子的发芽率、发芽指数、活力指数都明显提高;幼苗的可溶性蛋白含量高于对照.在6.5×1016N+/cm2~10.4×1016N+/cm2注量时,幼苗的可溶性蛋白含?康陀诙哉?96小时幼苗可溶性蛋白的含量高于48小时,说明辐射引起的损伤可随生长时间的增加而有所恢复.高注量可引起幼苗内一些抗氧化酶活性的升高,且随注量的增加酶的活性升高也越明显,96小时幼苗的GSH-Px和ASA-POD活性高于48小时幼苗,GSH-Ts活性略有下降.而低注量(1.3×1016N+/cm2~5.2×1016N+/cm2)的上述酶指标升幅不大.说明经N+离子处理后可通过诱导这些抗氧化酶活性的升高起到减轻伤害的作用.
氮离子注入 抗氧化酶 大豆幼苗 种子活力 N~+ ion implantation antioxidase soybean seedling vigor index 
激光生物学报
2003, 12(5): 368
作者单位
摘要
1 郑州大学离子束生物工程省重点实验室,中国河南,郑州,450052
2 湖南科技大学生命科学系,中国湖南,湘潭,411201
3 中国科学院离子束生物工程院重点实验室,中国安徽,合肥,230031
以低能氮离子束为诱变源,对同源四倍体水稻进行注入处理后,对其生物学效应进行了研究.研究结果表明,同源四倍体水稻比二倍体水稻对低能氮离子束注入处理更敏感.在注入离子剂量为3×1017N+/cm2时 ,同源四倍体水稻所受到的损伤比二倍体水稻所受到的损伤更严重.4份同源四倍体水稻(即IR36(4)、IR28(4)、紫血稻(4)、明恢63(4))的成苗率分别是2.0%、3.5%、3.0%和4.0%,致死率非常高.在同样条件下,4份相应的二倍体水稻(即IR36(2)、IR28(2)、紫血稻(2)、明恢63(2))的成苗率分别是33.0%、31.5%、29.0%和24.5%,致死率也比较高.在经过注入处理后的当代群体内,4份同源四倍体水稻的平均变异频率为32.5%,而4份相应的二倍体水稻的平均变异频率为9.5%.在同源四倍体水稻IR36(4)和IR28(4)的变异群体内分别发现22株和14株结实率均达到75.0%以上的单株,其中在IR36(4)群体内有1单株的结实率高达91.89 %;在紫血稻(4)的变异群体内发现2株具有双胚苗性状的单株;在二倍体水稻明恢63(2)的变异群体内发现1株具有红心米性状的单株.在第二代群体中,除了叶鞘变异和米质变异这两个变异性状能稳定遗传之外,其它变异性状在群体内都发生了明显的性状分离现象.同源四倍体水稻的高结实率特性和双胚苗特性表现出一定的可遗传性.
同源四倍体水稻 低能氮离子 生物学效应 autotetraploid rice ion beam of low energy N~+ biological effects 
激光生物学报
2003, 12(5): 355

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