发展了一种改进的新型超掺杂工艺, 通过真空磁控溅射多层镀膜后结合532 nm波长可见纳秒脉冲激光熔融处理, 进行超掺杂钛的硅薄膜材料的制备, 并对材料的超掺杂层的性质和红外吸收性能进行了探究.结果表明, 硅膜层中掺杂的钛原子的百分比浓度超过1%左右, 对应钛原子浓度约为5×1020 cm-3左右, 超过钛在硅中形成超掺杂所对应的原子浓度.钛超掺杂层的厚度超过200 nm左右, 相对传统工艺具有明显提升, 并且钛原子的浓度变化范围不超过20%, 分布比较均匀.小角度X射线衍射测试表明经过可见脉冲激光熔融处理后的硅薄膜层材料结晶度为25%左右, 呈多晶结构.同时红外吸收谱测试表明, 样品的钛掺杂硅膜层在大于1 100 nm波长的区域具有很高的红外吸收效果, 最高的红外吸收系数达到1.2×104 cm-1, 远超过单晶硅材料.具有比较明显的亚能带吸收的特征, 呈现出Ec-0.26 eV的掺杂能级.霍尔效应测试表明硅膜层具有较高的载流子浓度, 超过了8×1018 cm-3.

建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程,获得了与实验现象定性吻合的电流输出,给出了平均载流子随时间演化的情况.分析结果表明,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后,有可能对非线性光导开关中发生的一系列现象做出解释,进一步的仔细分析将对非线性光导开关的设计和制作提供理论指导.